[發明專利]一種調節氧化物半導體基質中Eu3+發光強度的方法

無效

• 申請號: 201210310592.8
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102827606A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 趙小如;孫慧楠;史小龍;關蒙萌
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種調節氧化物半導體基質中Eu³⁺發光強度的方法，其特征在于步驟如下：

步驟1制備TiO₂溶膠和SiO₂溶膠：

制備TiO₂溶膠：將鈦酸正四丁酯溶于無水乙醇中，在室溫下攪拌0.5~1個小時得到A溶液，然后將乙酸、去離子水和乙酰丙酮溶于無水乙醇中并在室溫下超聲10~15分鐘得到B溶液；然后在攪拌中將B溶液滴加A溶液中，滴加結束后再攪拌0.5~1小時得到黃色清亮的TiO₂溶膠；所述TiO₂溶膠內物質摩爾比為Ti(OC₄H₉)₄:乙酸（H+）：H₂O：乙酰丙酮=1:0.25:6:0.5；所述TiO₂溶膠的濃度為0.4mol/L；

制備SiO₂溶膠：將正硅酸乙酯、去離子水、無水乙醇和異丙醇混合，50℃水浴攪拌并滴加鹽酸，繼續攪拌2~3h得到透明穩定的SiO₂溶膠；所述SiO₂溶膠內物質的體積比為正硅酸乙酯:去離子水:無水乙醇:異丙醇=16:4:15:15；所述鹽酸的量為8滴/50ml；

步驟2制備Eu³⁺摻雜的復合氧化物半導體溶膠：按照TiO₂/(TiO₂+SiO₂)=0.2~1.0的比例混合兩種TiO₂和SiO₂溶膠在室溫下攪拌約1個小時，再將稀土Eu³⁺，按照Eu³⁺/(TiO₂+SiO₂)的摩爾比1.4%加入到上述溶膠中，繼續攪拌0.5~1個小時得到Eu³⁺摻雜的復合氧化物半導體溶膠，在室溫下空氣中靜置24~48小時；

步驟3：將玻璃襯底烘干后，浸入制得的Eu³⁺摻雜的復合氧化物半導體溶膠中，采用垂直提拉鍍膜法以4~6cm/min的速度緩慢提拉得到凝膠膜；將凝膠膜在100℃下干燥，300℃~550℃下預燒，再冷卻至室溫；

步驟4：重復步驟3鍍膜直至所需厚度，然后將制得的凝膠薄膜于空氣中500℃退火4~5小時，得到Eu³⁺摻雜的復合氧化物半導體薄膜。

2.根據權利要求1所述調節氧化物半導體基質中Eu³⁺發光強度的方法，其特征在于：

所述玻璃襯底依次用洗滌劑、稀鹽酸、去離子水、丙酮、乙醇各自先浸泡1~2個小時，然后超聲波清洗10~15分鐘，并將洗好的玻璃襯底放入乙醇中。