[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210309467.5
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103022129A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 入船裕行;齋藤涉;角保人;木村淑;大田浩史;鈴木純二
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張麗

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

漏極電極；

第1導電類型的漏極層，與所述漏極電極電連接；

周期構造層，設置于所述漏極層上，具有相對所述漏極層的表面在垂直方向上延伸并且在與所述漏極層的表面平行的第1方向上交替配置的第1導電類型的第1半導體層以及第2導電類型的第2半導體層；

第1導電類型的第3半導體層，設置于所述漏極層上，與位于所述周期構造層的終端的第1半導體層鄰接并且相對所述漏極層的表面在垂直方向上延伸；

第1導電類型的漂移層，形成于所述第1半導體層上；

第2導電類型的基極層，形成于所述第2半導體層上；

第1導電類型的源極層，形成于所述基極層上；

柵極電極，在所述基極層上隔著柵極絕緣層形成；以及

源極電極，與所述源極層電連接，

所述第1半導體層具有多個第1擴散層，該多個第1擴散層以固定的第1高度在所述垂直方向上排列，

由所述第1半導體層夾著的第2半導體層具有多個第2擴散層，該多個第2擴散層以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

所述第3半導體層具有多個第3擴散層，該多個第3擴散層以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

一個所述第1半導體層中的多個所述第1擴散層在所述第1方向的寬度相互相同，

一個所述第1半導體層中的多個所述第1擴散層內的雜質量隨著從所述第1半導體層的下端向上端而逐漸變大，

一個所述第2半導體層中的多個所述第2擴散層在所述第1方向的寬度相互相同，

一個所述第2半導體層中的多個所述第2擴散層內的雜質量相互相同、或者、以與多個所述第1擴散層內的雜質量的變化不同的方式隨著從所述第2半導體層的下端向上端而變化，

一個所述第3半導體層中的多個所述第3擴散層在所述第1方向的寬度比處于同一層的所述第1擴散層在所述第1方向的寬度以及所述第2擴散層在所述第1方向的寬度窄、并且隨著從所述第3半導體層的下端向上端而逐漸變窄，

一個所述第3半導體層中的多個所述第3擴散層內的雜質量相互相同。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

與所述第3半導體層鄰接的第2半導體層具有多個第4擴散層，該多個第4擴散層以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

一個所述第2半導體層中的多個所述第4擴散層在所述第1方向的寬度隨著從所述第2半導體層的下端向上端而逐漸變窄，

一個所述第2半導體層中的多個所述第4擴散層內的雜質量隨著從所述第2半導體層的下端向上端而逐漸變小。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

位于所述第3半導體層的最下端的所述第3擴散層在所述第1方向的寬度是所述第1擴散層在所述第1方向的寬度的1/2。