[發(fā)明專利]等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210308824.6 | 申請日: | 2008-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN102858078A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山澤陽平;奧西直彥 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置,其將輸出第一高頻的第一高頻電源電連接在設(shè)置于能夠減壓的處理容器內(nèi)的第一電極上,并設(shè)置有用于使從發(fā)熱體進(jìn)入第一和第二供電線上的高頻噪聲衰減的濾波電路,該第一和第二供電線用于電連接設(shè)置在所述第一電極上的所述發(fā)熱體和加熱器電源,該等離子體處理裝置的特征在于:
在所述第一和第二供電線上從所述發(fā)熱體看,在所述濾波電路的初段分別設(shè)置有第一和第二空芯線圈,
所述第一和第二空芯線圈相互同軸,且具有大致相等的卷線長度。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二空芯線圈的卷線長度之比為1。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二空芯線圈具有大致相等的直徑。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二空芯線圈以同心狀配置。
5.一種等離子體處理裝置,其將輸出第一高頻的第一高頻電源電連接在設(shè)置于能夠減壓的處理容器內(nèi)的第一電極上,并設(shè)置有用于使通過發(fā)熱體進(jìn)入第一和第二供電線的高頻噪聲衰減的濾波電路,該第一和第二供電線用于電連接設(shè)置在所述第一電極上的所述發(fā)熱體和加熱器電源,該等離子體處理裝置的特征在于:
在所述第一和第二供電線上從所述發(fā)熱體看,在所述濾波電路的初段分別設(shè)置有第一和第二空芯線圈,
分別構(gòu)成所述第一和第二空芯線圈的第一和第二線圈導(dǎo)線沿共同的線圈卷軸的外周面并進(jìn)且以大致相等的卷線長度卷成螺旋狀。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二線圈導(dǎo)線在所述線圈卷軸的軸方向上交替重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二線圈導(dǎo)線中的至少一方被絕緣體包覆。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一和第二線圈導(dǎo)線由平角或薄板的銅線形成。
9.如權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
具有包圍或收納所述初段線圈并接地的導(dǎo)電性的外殼。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述初段線圈分割為在所述外殼內(nèi)在空間上并排設(shè)置且電串聯(lián)連接的多個空芯線圈單體。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述多個空芯線圈單體中,位于最初段的空芯線圈單體與其它所有空芯線圈單體相比具有更大的電感。
12.如權(quán)利要求10或11所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述多個空芯線圈單體中,位于初段的空芯線圈單體與其它所有空芯線圈單體相比具有更小的浮游電容。
13.如權(quán)利要求1~12中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述發(fā)熱體隔著絕緣體埋入所述第一電極的主面。
14.如權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述第一電極是下部電極,在其之上載置被處理體。
15.如權(quán)利要求1~14中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述處理容器內(nèi)具有與所述第一電極隔開期望的間隔而平行相對的第二電極。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述第二電極上電連接有第二高頻電源,該第二高頻電源輸出頻率比所述第一高頻更高的第二高頻。
17.一種等離子體處理裝置,其為了在能夠減壓的處理容器內(nèi)進(jìn)行使用高頻的等離子體處理,具有通過第一和第二線路與設(shè)置在所述處理容器內(nèi)的規(guī)定的電氣部件電連接、且設(shè)置在所述處理容器之外的電力系統(tǒng)或信號系統(tǒng)的外部電路,該等離子體處理裝置利用設(shè)置在所述第一和第二線路上的濾波電路使通過所述電氣部件進(jìn)入所述第一和第二線路的高頻噪聲衰減,該等離子體處理裝置的特征在于:
在所述第一和第二線路上從所述電氣部件看,在所述濾波電路的初段分別設(shè)置有第一和第二空芯線圈,
所述第一和第二空芯線圈相互同軸且具有大致相等的卷線長度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210308824.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:印刷電路板邊緣連接器
- 下一篇:微小型成像鏡頭





