[發明專利]用于改善的器件集成的光刻膠剝離方法

有效

• 申請號: 201210308821.2
• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN102955381B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 羅伊·沙夫維;柯克·奧斯特洛夫斯基;大衛·張;樸俊;巴渝·特迪約斯沃爾;帕特里克·J·洛德
• 申請（專利權）人: 諾發系統公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種光刻膠剝離操作的方法，包括：

將基片提供給反應腔室，所述基片具有布置在其上的暴露的硅層和離子植入的光刻膠，所述離子植入的光刻膠包括整體光刻膠和在所述整體光刻膠上的碳化外層；

將所述基片暴露于由處理氣體產生的等離子體，其中所述處理氣體包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)，其中所述處理氣體中的以容積流百分比測量出的氫氣濃度在2％和16％之間，并且剩余的處理氣體是N₂，由此從所述基片上去除包括整體光刻膠的光刻膠；

其中，所述基片在時間t內暴露于所述等離子體，并且所述以容積流百分比測量出的氫氣濃度和所述時間t的叉積([H]×t)在50和2000sccm秒之間,所述基片溫度在200℃和285℃之間，并且所述腔室壓強在600毫托至2托之間。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述以容積流百分比測量出的氫氣濃度在2％和10％之間。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述以容積流百分比測量出的氫氣濃度小于8％。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述以容積流百分比測量出的氫氣濃度為4％。

5.如權利要求1所述的方法，其中，[H]×t在50和500sccm秒之間。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述基片溫度在200℃和250℃之間。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包括：將光刻膠涂覆到所述基片上，將所述光刻膠曝光，使所述光刻膠形成圖案，并且將所述圖案轉印到所述基片上。

8.一種光刻膠剝離操作的方法，包括：

將其上面布置有光刻膠的基片提供給反應腔室；

將所述基片暴露于由處理氣體產生的等離子體，所述處理氣體包括氫氣(H₂)和氮氣(N₂)，其中所述處理氣體中的以容積流百分比測量出的氫氣濃度是2％和16％之間，并且剩余的處理氣體是N₂，由此從所述基片上去除包括整體光刻膠的光刻膠；

其中，在將所述基片暴露于所述等離子體時，所述基片在時間t內暴露于所述等離子體，并且所述以容積流百分比測量出的氫氣濃度和所述時間t的叉積([H]×t)在50和2000sccm秒之間,所述基片溫度在200℃和285℃之間,并且所述腔室壓強在600毫托至2托之間；以及

在將所述基片暴露于所述等離子體之后，在200℃和450℃之間的基片溫度下使所述基片通風。

9.如權利要求8所述的方法，進一步包括：在使所述基片通風之后，在至少800℃的基片溫度下執行高溫植入驅動處理。

10.如權利要求8所述的方法，其中，所述處理氣體中的以容積流百分比測量出的氫氣濃度小于10％。

11.如權利要求8所述的方法，其中，所述處理氣體中的以容積流百分比測量出的氫氣濃度小于5％。

12.一種光刻膠剝離操作的裝置，包括：

等離子體源，

氣體入口，其用于將氣體混合物導入到所述等離子體源中，

噴淋頭，其位于所述氣體入口的下游，以及

基片支撐件，其位于所述噴淋頭的下游，所述基片支撐件包括基座和控制被支撐在所述基片支撐件上的基片的溫度的溫度控制機構；以及控制器，其用于執行指令集，所述指令集包括將氣體混合物導入到所述氣體入口中的指令，所述氣體混合物包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)，并且具有在2％和16％之間的以容積流百分比測量出的氫氣濃度，其中剩余的氣體混合物是N₂，并且進一步地，其中所述指令集包括以下指令：將基片在時間t內暴露于由所述氣體混合物產生的等離子體，從而所述氫氣濃度[H]和所述時間t的叉積([H]×t)在50和2000sccm秒之間；在將所述基片暴露于所述等離子體時，將所述基片溫度保持在200℃和285℃之間并且將所述腔室壓強保持在600毫托至2托之間。