[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210308758.2
• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN102830560A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 封賓;林鴻濤;王章濤;邵喜斌
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括像素電極、公共電極和絕緣部，其特征在于，

所述絕緣部包括多個第一過孔；

所述公共電極設(shè)置于所述第一過孔的底表面，所述像素電極設(shè)置于所述絕緣部的表面，或

所述公共電極設(shè)置于所述絕緣部的表面，所述像素電極設(shè)置于所述第一過孔的底表面。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣部包括柵絕緣層和/或鈍化層。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔的內(nèi)壁與底表面夾有銳角形倒角。

4.如權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括平坦層。

5.一種如權(quán)利要求1-4任一所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

通過第一次構(gòu)圖工藝，形成包括柵線、柵電極、公共電極線的圖形；

通過第二次構(gòu)圖工藝，形成包括柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、TFT溝道的圖形；

通過第三次構(gòu)圖工藝，形成鈍化層以及位于所述鈍化層和/或柵絕緣層上的第一過孔；

通過第四次構(gòu)圖工藝，形成像素電極和公共電極。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，通過第三次構(gòu)圖工藝，形成位于所述鈍化層和/或柵絕緣層上的第一過孔，具體包括：

在所述鈍化層和/或柵絕緣層上形成內(nèi)壁垂直于底表面的第一過孔。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，通過第四次構(gòu)圖工藝，形成像素電極和公共電極，具體包括：

形成透明導(dǎo)電薄膜，在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，通過普通掩模板進行曝光和顯影處理，使所述第一過孔內(nèi)部和第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面保留光刻膠，其余區(qū)域無光刻膠；

將所述其余區(qū)域暴露出的透明導(dǎo)電薄膜刻蝕掉，形成所述第一過孔的底表面、內(nèi)壁以及第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面的透明導(dǎo)電圖案；

剝離剩余光刻膠；

將所述第一過孔內(nèi)壁上的透明導(dǎo)電圖案刻蝕掉，形成位于所述第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面的像素電極，以及位于所述第一過孔底表面的公共電極。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，通過第三次構(gòu)圖工藝，形成位于所述鈍化層和/或柵絕緣層上的第一過孔，具體包括：

在所述鈍化層和/或柵絕緣層上形成內(nèi)壁與底表面夾有銳角形倒角的第一過孔。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，通過第四次構(gòu)圖工藝，形成像素電極和公共電極，具體包括：

形成透明導(dǎo)電薄膜，在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，通過普通掩模板進行曝光和顯影處理，使所述第一過孔內(nèi)部和第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面保留光刻膠，其余區(qū)域無光刻膠；

將所述其余區(qū)域暴露出的透明導(dǎo)電薄膜刻蝕掉，形成位于所述第一過孔底表面和第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面的透明導(dǎo)電圖案；剝離剩余光刻膠，形成位于所述第一過孔外設(shè)定區(qū)域的鈍化層表面的像素電極，以及位于所述第一過孔底表面的公共電極。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括：形成位于所述像素電極和公共電極上的平坦層。