[發(fā)明專利]大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210308393.3 | 申請日: | 2012-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN103091278A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 潘國峰;劉玉嶺;檀柏梅;王娟;何彥剛;張培碩 | 申請(專利權)人: | 河北工業(yè)大學 |
| 主分類號: | G01N21/35 | 分類號: | G01N21/35 |
| 代理公司: | 天津市三利專利商標代理有限公司 12107 | 代理人: | 仝林葉 |
| 地址: | 300130 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 尺寸 晶片 表面 有機物 沾污 紅外 反射 檢測 方法 | ||
1.一種大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法,其特征是:使用傅立葉變換紅外光譜儀對300mm大尺寸硅單晶片進行表面檢測,將經(jīng)堿性拋光液處理后的300mm大尺寸硅單晶片作為樣品放入鏡反射附件樣品臺,對樣品進行紅外掃描,得到鏡反射紅外光譜圖,與表面潔凈的硅單晶片紅外反射圖譜進行對比,根據(jù)圖譜峰出現(xiàn)的位置,在波數(shù)為3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置處出現(xiàn)強吸收,表明硅單晶片表面含有拋光液殘留。
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