[發明專利]大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法

無效

• 申請號: 201210308393.3
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103091278A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 潘國峰;劉玉嶺;檀柏梅;王娟;何彥剛;張培碩
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: G01N21/35
• 分類號: G01N21/35
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 仝林葉

1.一種大尺寸硅單晶片表面有機物沾污的紅外鏡反射檢測方法，其特征是：使用傅立葉變換紅外光譜儀對300mm大尺寸硅單晶片進行表面檢測，將經堿性拋光液處理后的300mm大尺寸硅單晶片作為樣品放入鏡反射附件樣品臺，對樣品進行紅外掃描，得到鏡反射紅外光譜圖，與表面潔凈的硅單晶片紅外反射圖譜進行對比，根據圖譜峰出現的位置，在波數為3400cm^-1-2800cm^-1和1700cm^-1-1460cm^-1位置處出現強吸收，表明硅單晶片表面含有拋光液殘留。