[發明專利]高頻基板結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201210308259.3
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103635015A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 林志銘;洪金賢;林惠峰;李建輝
• 申請（專利權）人: 昆山雅森電子材料科技有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/46
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

技術領域

本發明涉及一種高頻基板結構，尤指一種在兩金屬層之間夾置復合膜的高頻基板結構及其制造方法。

背景技術

印刷電路板是電子產品中不可或缺的材料，而隨著消費性電子產品需求成長，對于印刷電路板的需求亦是與日俱增。由于軟性印刷電路板具有可撓曲性及可三度空間配線等特性，在科技化電子產品強調輕薄短小、可撓曲性的發展驅勢下，目前被廣泛應用計算機及其外圍設備、通訊產品以及消費性電子產品等等。

近來，由于電子產品已走向高速及高頻的應用趨勢，使得現今電子產品都需要使用高頻電路用印刷電路基板來支持，以達到高頻及高速的運作功效。在眾多被用作為高頻電路用印刷電路基板的材料中，除了陶瓷和發泡材料外，以氟系樹脂居多，其原因在于氟系樹脂具有低介電常數（Dk）和低介電損耗（Df），如聚四氟乙烯（PTFE）基板在頻率10GHz下具有Dk值2.1、Df值0.0004，與低吸水率0.0003等優異的電氣性質。

但是，PTFE基板低玻璃轉移溫度Tg是19?℃，耐熱性不足。

因此，仍需要開發能夠改善制程加工性，同時具有低介電常數與低介電損耗以及耐熱性佳的高頻基板結構。

發明內容

為了克服上述缺陷，本發明提供了一種高頻基板結構及其制造方法，本發明的高頻基板結構制程加工性好，且具有低介電常數、低介電損耗以及良好的耐熱性。

本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種高頻基板結構，包括復合膜，所述復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。

較佳地，所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。?

較佳地，所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層(polytetrafluorethylene)。

優選的是，所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)層或四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層。

較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。

較佳地，所述氟系聚合物層的厚度介于?25?至?50?微米之間。

較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于?12?至?36?微米之間。

較佳地，所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。

上述高頻基板結構的制造方法，如下：所述第二子層為氟系聚合物層，在所述第一金屬層上涂布聚酰胺酸并經烘箱干燥以及亞酰胺化后形成由第一金屬層以及第一子層構成的單面無膠的第一金屬基板，所述第一子層為聚酰亞胺層，在所述第二金屬層上涂布聚酰胺酸并經烘箱干燥以及亞酰胺化后形成由第二金屬層以及第三子層構成的單面無膠的第二金屬基板，所述第三子層為聚酰亞胺層，將所述氟系聚合物層的兩面熱壓合第一金屬基板以及第二金屬基板后即可得到所述高頻基板結構。

本發明的有益效果是：本發明的高頻基板結構，包括復合膜，復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層，還包括第一金屬層，第一金屬層形成于第一子層上，還包括第二金屬層，第二金屬層形成于第三子層上，本發明的高頻基板結構制程加工性好，且經測試結果可知本發明的高頻基板結構具有低介電常數、低介電損耗以及良好的耐熱性。

附圖說明

圖1為本發明結構示意圖。

具體實施方式

以下通過特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域普通技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的優點及功效。本發明也可以其它不同的方式予以實施，即，在不悖離本發明所揭示的范疇下，能予不同的修飾與改變。