[發(fā)明專利]一種快恢復(fù)二極管芯片的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210308248.5
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102789970A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明;程萬坡;穆連和;張興杰
• 申請（專利權(quán)）人: 南通明芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/329
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務(wù)所 32106
• 代理人: 江平

1.一種快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于采用潔凈的單面拋光N-型單晶硅片經(jīng)以下工藝步驟制成：

1）一次擴散：在所述N-型單晶硅的背面完成N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)的擴散，形成N-/N+結(jié)構(gòu)；

2）二次擴散：在N-/N+結(jié)構(gòu)硅片的背面完成N++型半導(dǎo)體雜質(zhì)的擴散，形成N-/N+/N++結(jié)構(gòu)；

3）在N-/N+/N++的正面完成P型半導(dǎo)體雜質(zhì)的擴散，形成P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)；

4）在P/N-/N+/N++背面引入半導(dǎo)體復(fù)合中心雜質(zhì)；

5）在P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)硅片的正面光刻臺面槽窗口，并臺面成型，玻璃鈍化；

6）在P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)硅片的正面光刻引線孔窗口，并鍍膜；

7）在P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)硅片的正面光刻金屬膜；

8）在P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)硅片的背面鍍膜；

9）將P/N-/N+/N++結(jié)構(gòu)硅片劃成獨立的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于一次擴散時，將硅片正面采用SiO₂保護，背面去除SiO₂，所述擴散為：先進行磷預(yù)擴散，再進行磷再擴散。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于所述預(yù)擴散的溫度及時間為950±5℃、60±2分鐘；所述再擴散是在1240±5℃的溫度條件下，在O₂氣氛中擴散2小時，再在N₂氣氛中擴散8～13小時。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于二次擴散時，先進行磷預(yù)擴散，再進行磷再擴散。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于所述預(yù)擴散的溫度及時間為1175±5℃、240±5分鐘；所述再擴散是在1240±5℃的溫度條件下，在O₂氣氛中擴散2小時，再在N₂氣氛中擴散2～3小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于三次擴散時，先進行硼預(yù)擴散，再進行硼再擴散。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于所述預(yù)擴散的溫度及時間為920±5℃、60±2分鐘；所述再擴散是在1200±5℃溫度條件下，在O₂氣氛中擴散2小時，再在N₂氣氛中擴散8～18小時。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述快恢復(fù)二極管芯片的制備方法，其特征在于所述單面拋光N-型單晶硅的電阻率為15～60Ω.cm。