[發明專利]一種半導體激光器的校準測試方法及其應用

有效

• 申請號: 201210307341.4
• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN102829952A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 胡朝陽;鄭曉鋒
• 申請（專利權）人: 蘇州海光芯創光電科技有限公司
• 主分類號: G01M11/00
• 分類號: G01M11/00;G01M11/02
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

1.一種半導體激光器的校準測試方法，所述半導體激光器包括分布式反射激光管芯，與分布式反射激光管芯輸出端連接的背向光探測器，用于溫度監控的熱敏電阻及溫度控制器；

所述背向光探測器的輸出端與電流取樣電阻的輸入端連接，所述電流取樣電阻的輸出端連接有一用于采集、監測信號的微處理器，所述熱敏電阻與溫度控制器均與微處理器連接，其特征在于：

所述半導體激光器校準測試方法包括如下步驟：

S1、半導體激光器溫度校準；

S2、常溫狀態下，微處理器判斷S1中的校準后溫度是否達到設定溫度，否則等待，直至達到設定溫度，所述常溫指15℃-30℃；

S3、常溫狀態下，微處理器對半導體激光器模塊開、關狀態下模塊光功率進行監控校準；

S4、高溫狀態下，微處理器判斷S1中的校準后溫度是否達到設定溫度，否則等待，直至達到設定溫度，該設定溫度與常溫狀態下設定溫度一致，從而保證在不同環境溫度下S1中的校準后溫度保持一致，所述高溫是指65℃-85℃；

S5、高溫狀態下，微處理器對半導體激光器進行監控校準，結合S3中的校準值進行校準。

2.根據權利要求1所述的一種半導體激光器的校準測試方法，其特征在于：所述S1溫度校正包括如下步驟：

S11、常溫采樣：在常溫狀態下，微處理器讀取并儲存半導體激光器模塊的實際溫度及半導體激光器模塊內部熱敏電阻的監測溫度值，作為常溫狀態下的實際測試值和微處理器的監控值；

S12：高溫采樣：在高溫狀態下，微處理器讀取并儲存半導體激光器模塊的實際溫度及半導體激光器模塊內部熱敏電阻的監測溫度值，作為高溫狀態下的實際測試值和微處理器的監控值；

S13：對比處理：微處理器對S11與S12中常溫值與高溫值進行擬合得出半導體激光器模塊實際溫度與熱敏電阻的監測溫度值對應關系曲線。

3.根據權利要求1所述的一種半導體激光器的校準測試方法，其特征在于：所述S3的常溫狀態下監控校準包括如下步驟：

S31、采樣，微處理器采集存儲溫度上報值t0，打開半導體激光器模塊，采集并存儲半導體激光器模塊的光功率監控值及實際發光光功率值；

關閉半導體激光器模塊，采集并存儲半導體激光器模塊的光功率監控值及實際發光光功率值；

S32、擬合判斷，微處理器對采集到的開關半導體激光器狀態下的數據進行擬合，根據y=ax+b確定光功率監控值與實際發光光功率值的關系，其中y為實際發光光功率值，x為光功率監控值。

4.根據權利要求1所述的一種半導體激光器的校準測試方法，其特征在于：所述S5的高溫狀態下監控校準包括如下步驟：

S51、采樣，打開半導體激光器模塊，微處理器采集存儲半導體激光器模塊的光功率監控值及實際發光光功率值及高溫狀態下溫度上報值t1；

S52、擬合判斷，微處理器對S51、S31中采集的數據進行擬合，根據y=ax+b+c（t1-t0）確定存在溫度梯度情況下，光功率監控值與實際發光光功率值的關系，其中y為實際發光光功率值，x為光功率監控值，a、b為經過常溫校準后確定的系數；

S53、微處理器將擬合校準后得到的數據作值存儲。

5.根據權利要求1所述的一種半導體激光器的校準測試方法，其特征在于：所述半導體激光器模塊測試方法還包括常溫調試、及高溫調試，所述常溫調試與高溫調試均在模塊校準方法之前進行，通過常溫與高溫調試將得到的參數值進行擬合，所述的常溫和高溫調試分別對各項參數包括輸入、輸出光功率、消光比、交叉點、波長、最佳靈敏度電壓、信號丟失使能、信號恢復使能。

6.根據權利要求5所述的一種半導體激光器的校準測試方法，其特征在于：所述半導體激光器模塊測試方法還包括模塊校準方法之后的信息處理及最后高溫檢驗測試，所述高溫檢驗測試僅僅是對模塊的參數做相應的合格檢驗。

7.根據權利要求1所述的一種半導體激光器的校準測試方法的應用，其特征在于：所述校準測試方法適用于具有所述半導體激光器的光模塊。