[發明專利]芯片封裝基板和結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201210307163.5 | 申請日: | 2012-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN103632979B | 公開(公告)日: | 2017-04-19 |
| 發明(設計)人: | 王峰 | 申請(專利權)人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334 | 代理人: | 薛曉偉 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及電路板制作領域,尤其涉及一種芯片封裝基板和芯片封裝結構及該芯片封裝基板和芯片封裝結構的制作方法。
背景技術
芯片封裝基板可為芯片提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效,以實現多引腳化,縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。
當電子產品的體積日趨縮小,所采用的芯片封裝基板的體積和線路間距也必須隨之減小。習知的芯片封裝基板包括一基底及形成于該基底相對表面的導電線路圖形,基底兩側的導電線路圖形通過導通孔電連接。然而,習知的芯片封裝基板的基底使得整個芯片封裝結構的厚度減小受到了限制,有悖于芯片封裝結構的輕薄的發展趨勢,而且基板上需要加工導通孔,增加了制造成本。
發明內容
因此,有必要提供一種輕薄且成本低的芯片封裝基板和結構及其制作方法。
一種芯片封裝基板的制作方法,包括步驟:提供一支撐板、第一銅箔及第二銅箔,該第一銅箔和第二銅箔分別通過離型膜貼附于該支撐板相對的兩個表面;在該第一銅箔層上形成圖案化的第一凹陷,該第一凹陷的深度小于該第一銅箔層的厚度,與該第一凹陷在平行于該第一銅箔層的方向上相鄰的第一銅箔層構成第一導電線路圖形,該第一導電線路圖形與對支撐板之間的第一銅箔層構成完全覆蓋對應離型膜的第一薄銅層;在該第二銅箔層上形成圖案化的第二凹陷,該第二凹陷的深度小于該第二銅箔層的厚度,與該第二凹陷在平行于該第二銅箔層的方向上相鄰的第二銅箔層構成第二導電線路圖形,該第二導電線路圖形與對支撐板之間的第二銅箔層構成完全覆蓋對應離型膜的第二薄銅層;在該第一導電線路圖形的表面部分區域以及該第一凹陷內形成第一防焊層,及在該第二導電線路圖形的表面部分區域以及第二凹陷內形成第二防焊層,使該第一導電線路圖形上未被第一防焊層覆蓋的部位構成多個第一電性接觸墊,及使該第二導電線路圖形上未被第二防焊層覆蓋的部位構成多個第二電性接觸墊;及去除該支撐板和離型膜,得到相互分離的第一芯片封裝基板和第二芯片封裝基板。
一種芯片封裝基板的制作方法,包括步驟:提供一第一支撐板、第二支撐板、第一銅箔及第二銅箔,該第一支撐板與第二支撐板之間通過第一離型膜相互貼附,該第一銅箔通過第二離型膜貼附于該第一支撐板遠離該第二支撐板的表面,該第二銅箔通過第三離型膜貼附于該第二支撐板遠離該第一支撐板的表面;在該第一銅箔層上形成圖案化的第一凹陷,該第一凹陷的深度小于該第一銅箔層的厚度,與該第一凹陷在平行于該第一銅箔層的方向上相鄰的第一銅箔層構成第一導電線路圖形,該第一導電線路圖形與對支撐板之間的第一銅箔層構成完全覆蓋對應離型膜的第一薄銅層;在該第二銅箔層上形成圖案化的第二凹陷,該第二凹陷的深度小于該第二銅箔層的厚度,與該第二凹陷在平行于該第二銅箔層的方向上相鄰的第二銅箔層構成第二導電線路圖形,該第二導電線路圖形與對支撐板之間的第二銅箔層構成完全覆蓋對應離型膜的第二薄銅層;在該第一導電線路圖形的表面部分區域以及該第一凹陷內形成第一防焊層,及在該第二導電線路圖形的表面部分區域以及第二凹陷內形成第二防焊層,使該第一導電線路圖形上未被第一防焊層覆蓋的部位構成多個第一電性接觸墊,及使該第二導電線路圖形上未被第二防焊層覆蓋的部位構成多個第二電性接觸墊;及將該第一支撐板和第二支撐板相互剝離,得到相互分離的第一芯片封裝基板和第二芯片封裝基板。
一種芯片封裝基板,包括第一薄銅層、第一導電線路圖形及第一防焊層。該第一導電線路圖形凸出形成于該第一薄銅層一表面且與第一薄銅層為一體結構,該第一導電線路圖形間形成第一凹陷。該第一防焊層形成于該第一導電線路圖形的表面部分區域以及該第一導電線路圖形之間的第一凹陷內,該第一導電線路圖形上未被第一防焊層覆蓋的部位構成多個第一電性接觸墊。
一種芯片封裝結構,包括第一導電線路圖形、第一防焊層、芯片及第三電性接觸墊,該第一導電線路圖形的線路間具有凹陷,該第一防焊層形成于該第一導電線路圖形的其中一表面部分區域以及該第一導電線路圖形的導電線路間的凹陷內,該第一導電線路圖形與該第一防焊層相鄰的表面未被第一防焊層覆蓋的部位構成多個第一電性接觸墊,該芯片封裝于該第一防焊層上并與該多個第一電性接觸墊電連接,該多個第三電性接觸墊與該第一導電線路圖形為一體結構且位于該第一導電線路圖形遠離該芯片的一側。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





