[發(fā)明專(zhuān)利]透明導(dǎo)電性薄膜及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210307081.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102956287B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山崎由佳;梨木智剛;菅原英男 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01B5/14 | 分類(lèi)號(hào): | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明導(dǎo)電性薄膜 透明導(dǎo)體層 撓性透明基材 尺寸變化率 觸摸屏 結(jié)晶性 美觀性 加熱 組裝 導(dǎo)電性金屬氧化物 蝕刻 圖案形成部 圖案邊界 開(kāi)口部 臺(tái)階差 圖案化 減小 制造 圖案 | ||
1.一種透明導(dǎo)電性薄膜,其具有撓性透明基材和形成在所述撓性透明基材的一個(gè)面的由結(jié)晶性導(dǎo)電性金屬氧化物形成的結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層,
所述透明導(dǎo)體層的厚度為10~30nm,
所述撓性透明基材的厚度為80μm以下,
將具有所述結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層的該透明導(dǎo)電性薄膜在140℃下加熱30分鐘時(shí)的尺寸變化率H1與將通過(guò)蝕刻去除了結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層的該透明導(dǎo)電性薄膜在140℃下加熱30分鐘時(shí)的尺寸變化率H2之差H1-H2為-0.043%~0.02%,
所述透明導(dǎo)體層是通過(guò)濺射法形成的。
2.一種透明導(dǎo)電性薄膜,其具有撓性透明基材和形成在所述撓性透明基材的一個(gè)面的由結(jié)晶性導(dǎo)電性金屬氧化物形成的結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層,
所述透明導(dǎo)體層進(jìn)行了圖案化,該透明導(dǎo)電性薄膜包括在撓性透明基材上具有結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層的圖案開(kāi)口部,
所述撓性透明基材的厚度為80μm以下,
所述透明導(dǎo)體層的厚度為10~30nm,
將該透明導(dǎo)電性薄膜在140℃下加熱30分鐘時(shí)的、所述圖案形成部的尺寸變化率h1與所述圖案開(kāi)口部的尺寸變化率h2之差h1-h2為-0.043%~0.02%,
所述透明導(dǎo)體層是通過(guò)濺射法形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其中,所述透明導(dǎo)體層由結(jié)晶性的摻錫氧化銦形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其中,所述透明導(dǎo)體層由結(jié)晶性的摻錫氧化銦形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其中,所述撓性透明基材具有透明薄膜基材和在形成有透明導(dǎo)體層的一側(cè)的面上形成的至少1層底涂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其中,所述撓性透明基材具有透明薄膜基材和在形成有透明導(dǎo)體層的一側(cè)的面上形成的至少1層底涂層。
7.一種透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法,其是制造權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜的方法,該方法包括下述工序:
基材準(zhǔn)備工序,準(zhǔn)備撓性透明基材;
成膜工序,在撓性透明基材上形成由非晶的導(dǎo)電性金屬氧化物形成的非晶透明導(dǎo)體層;以及
熱處理工序,在圖案化工序之前,對(duì)所述非晶透明導(dǎo)體層進(jìn)行加熱,轉(zhuǎn)化成結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層,
所述熱處理工序中的加熱溫度為70℃~140℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法,其中,所述熱處理工序中的尺寸變化率為0%~-0.34%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法,其中,還包括圖案化工序,該工序通過(guò)蝕刻去除一部分所述結(jié)晶性的透明導(dǎo)體層,圖案化為在撓性透明基材上具有透明導(dǎo)體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導(dǎo)體層的圖案開(kāi)口部。
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