[發明專利]淺溝槽隔離及其制造方法

有效

• 申請號: 201210307008.3
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103633009A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎;羅軍;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種STI結構,包括襯底以及襯底中的隔離氧化物,其特征在于：在100K溫度下,隔離氧化物的線性體積膨脹系數的絕對值大于10^-4/K。

2.如權利要求1的STI結構,其中,隔離氧化物為負熱膨脹介質材料。

3.如權利要求2的STI結構,其中,隔離氧化物為鈣鈦礦型氧化物。

4.如權利要求3的STI結構,其中,隔離氧化物包括Bi_0.95La_0.05NiO₃、BiNiO₃、ZrW₂O₈。

5.如權利要求1的STI結構,其中,隔離氧化物為正熱膨脹介質材料。

6.如權利要求5的STI結構,其中,隔離氧化物為框架材料。

7.如權利要求6的STI結構,其中,隔離氧化物包括Ag₃[Co(CN)₆]。

8.一種STI結構的制造方法,包括：

提供襯底；

在襯底上進行光刻/刻蝕形成淺溝槽；

在襯底上以及淺溝槽中沉積隔離氧化物,其中,在100K溫度下,

隔離氧化物的線性體積膨脹系數的絕對值大于10^-4/K；

平坦化隔離氧化物直至暴露襯底。

9.如權利要求8的STI結構的制造方法,其中,沉積隔離氧化物的溫度大于器件的工作溫度。

10.如權利要求9的STI結構的制造方法,其中,沉積隔離氧化物的溫度大于400℃,器件的工作溫度小于100℃。