[發明專利]等離子處理裝置

有效

• 申請號: 201210306854.3
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102833937A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 安東靖典
• 申請（專利權）人: 日新電機株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種等離子處理裝置，其是感應耦合型的等離子處理裝置，該感應耦合型的等離子處理裝置通過使高頻電流流入至平面形狀實質上筆直的天線，以使真空容器內產生感應電場，從而產生等離子，并使用所述等離子來對基板實施處理，所述等離子處理裝置的特征在于：

所述天線呈往返導體構造，所述高頻電流彼此逆向地流入至兩塊矩形導體板，其中所述往返導體構造是指以使所述兩塊矩形導體板位于沿著所述基板的表面的同一平面上的方式，彼此隔開間隙而靠近地平行配置所述兩塊矩形導體板，且利用導體來將所述兩個矩形導體板的長度方向的一端彼此予以連接，

且在所述兩塊矩形導體板的所述間隙側的邊上，分別設置隔著所述間隙而相向的缺口，利用所述相向的缺口來形成開口部，使多個所述開口部分散地配置在所述天線的長度方向上。

2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于：

使所述天線的長度方向上的兩端部的所述開口部的大小，大于其他所述開口部的大小。

3.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

使所述天線的長度方向上的兩端部的所述開口部的間隔，小于其他所述開口部的間隔。

4.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

代替將所述兩塊矩形導體板配置在沿著所述基板表面的同一平面的方式，而使所述基板的表面的相反側為張開的剖面呈V字構造的方式，彼此隔開間隙，靠近地平行配置。

5.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

代替將所述兩塊矩形導體板配置在沿著所述基板表面的同一平面的方式，而使所述兩塊矩形導體板在短邊方向上彎曲，從而使所述基板的表面的相反側為張開的剖面呈U字構造的方式，彼此隔開間隙，靠近地平行配置。

6.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

利用導體，以在該導體中流動的所述高頻電流的集膚厚度以上的厚度，分別將所述兩塊矩形導體板的所述間隙的相反側的邊的周圍予以包覆，其中所述導體的電阻率大于所述矩形導體板的材料的電阻率。

7.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

在位于所述真空容器內側的所述天線與所述等離子的產生區域之間包括介電體板，且將位于所述真空容器內側的所述天線填埋在介電體內，所述介電體板保護所述天線不受所述等離子的影響。

8.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于：

包括多個所述天線，且多個所述天線彼此并聯地配置，

以使高頻電流彼此朝向相同方向的方式，將高頻電力從共用的高頻電源并聯地供給至所述多個天線，所述高頻電流流入至相鄰的天線的相鄰的所述矩形導體板的所述間隙的相反側的相鄰的邊。