[發明專利]制造半導體發光器件的方法

無效

• 申請號: 201210306242.4
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN102903814A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 金起范;許元九;崔丞佑;李承宰;李時赫;金臺勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李昕巍

技術領域

本發明涉及一種制造半導體發光器件的方法。

背景技術

通常，發光二極管(LED)通過使用化合物半導體的特性將電信號轉換成紅外光、可見光或紫外光。LED是一種電致發光(EL)器件。一種使用III-V族化合物半導體的LED被普遍商用。III族氮化物基化合物半導體是直接躍遷半導體，相對于其它半導體而言能夠實現高溫下的穩定運行，因而III族氮化物基化合物半導體被廣泛應用于發光器件，如LED或激光二極管(LD)。

構成發光器件的各單個芯片可以通過在單一晶片上生長半導體層以及經由切割工藝將晶片分成多個芯片單元實現。在這點上，基于分離工藝的芯片單元可以使用采用切削頭(cutting?tip)或刀片的劃片工藝、裂片工藝、使用激光器的劃片工藝等等。使用激光器的劃片工藝可以比現有的操作提高操作速度，這可以帶來提高生產率的效果，然而芯片(電極或有源層)被損傷，這使得半導體發光器件的特性退化。在隱形激光(stealth?laser)用在劃片工藝中的情況下，改性層(modified?layer)會阻止外部光提取。

發明內容

本發明的一方面提供一種通過簡單工藝制造具有增強光提取效率的半導體發光器件的方法。

本發明的另一方面提供一種能夠提高半導體發光器件可靠性的制造半導體發光器件的方法。

本發明的另一方面提供一種增加每晶片的凈管芯數的制造半導體發光器件的方法。

根據本發明的一方面，提供一種制造半導體發光器件的方法，該方法包括：準備襯底，該襯底包括彼此相對的第一及第二主表面；在襯底的第一主表面中形成多個突起部；在其上形成有多個突起部的第一主表面上形成發光疊層，該發光疊層包括第一導電類型半導體層、有源層以及第二導電類型半導體層；通過移除形成在對應于圍繞多個突起部的溝槽部的區域中的發光疊層部分形成多個發光結構；以及沿著溝槽部分離襯底，使得從形成在襯底上的多個發光結構獲得獨立的半導體發光器件。

溝槽部在移除形成在對應于圍繞多個突起部的溝槽部的區域中的發光疊層部分時可以暴露于外。

在形成發光疊層時，至少部分溝槽部可以保持為空的。

溝槽部可以具有約10微米到約50微米的寬度。

該方法可以還包括使用填充材料填充至少部分溝槽部。

填充材料可以是樹脂或金屬。

填充材料可以相對于襯底具有高選擇刻蝕比。

該方法可以還包括從第二主表面移除襯底的一部分以允許容納在溝槽部中的填充材料暴露于外。

在沿溝槽部分離襯底時，暴露于外的填充材料可以被移除。

填充材料的移除可以通過濕法刻蝕執行。

該方法可以還包括在多個發光結構上形成電極。

該方法可以還包括在多個突起部的表面上形成不平坦圖案。

發光疊層可以生長在不平坦圖案的凹部的側面上。

在沿溝槽部分離襯底時，可以從第二主表面移除一部分襯底。

該方法可以還包括在移除形成在對應于溝槽部的區域中的發光疊層部分后將支撐襯底附加到第一主表面。

該方法可以還包括在附加支撐襯底后使用拋光工藝從第二主表面移除一部分襯底。

附圖說明

本發明的上述以及其它方面、特征以及其它優點將從以下結合附圖的詳細描述中更清楚地被理解，其中：

圖1A、1B、1C、2、3、4、5A、5B、6是顯示了根據本發明的實施例的制造半導體發光器件的方法的示意圖；以及

圖7A及7B是顯示了根據本發明實施例制造的每個半導體發光器件的光輸出的曲線圖。

具體實施方式

本發明的實施例現在將參考附圖詳細描述。

然而，本發明可以以多種不同的形式實施并且不應被解釋為限于這里提出的示例性實施例。相反地，提供這些實施例是為了使得這里的公開是全面和完整的，并且向本領域技術人員完整傳達本發明的范圍。在這些圖中，元件的形狀和尺寸可以為了清楚而夸大，并且同樣的附圖標記代表相同或同樣的元件。

圖1A??6是顯示了根據本發明的實施例的制造半導體發光器件的方法的示意圖。

參考圖1A，準備具有彼此相對的第一及第二主表面10a和10b的襯底10。多個突起部c在襯底10的第一主表面10a中形成為柱狀體。盡管本實施例中的突起部c形成為第一主表面10a中的六邊柱狀體，但是它們不被限制于此，并且突起部c可以不同地形成為四邊柱狀體、五邊柱狀體、圓柱狀體或類似柱狀體。