[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210305283.1
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103633122A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建志;林正基;連士進;吳錫垣
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L21/335
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一襯底；

一裝置區(qū)；

一第一摻雜區(qū)，形成在鄰近該裝置區(qū)的該襯底中；以及

一柵結(jié)構(gòu)，位于該第一摻雜區(qū)上，其中該第一摻雜區(qū)與該柵結(jié)構(gòu)是互相重疊的。

2.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一襯底；

一裝置區(qū)；

一第一摻雜區(qū)，形成在該襯底中并鄰近該裝置區(qū)；以及

一柵結(jié)構(gòu)，位于該第一摻雜區(qū)上，其中該第一摻雜區(qū)與該柵結(jié)構(gòu)其中至少之一具有對稱的形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該裝置區(qū)包括一第一裝置區(qū)與一第二裝置區(qū)，該第一摻雜區(qū)是用以隔離該第一裝置區(qū)與該第二裝置區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜區(qū)具有一對稱的形狀并位于該第一裝置區(qū)的外緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一柵極，其中該裝置區(qū)包括一第一裝置區(qū)與一第二裝置區(qū)，該第一摻雜區(qū)是介于該第一裝置區(qū)與該第二裝置區(qū)，該柵極位于該第一裝置區(qū)中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極具有相對的一第一柵側(cè)邊與一第二柵側(cè)邊，該第一摻雜區(qū)與該第一柵側(cè)邊之間的一最小間距等于該第一摻雜區(qū)與該第二柵側(cè)邊之間的一最小間距，或者，該柵結(jié)構(gòu)與該第一柵側(cè)邊之間的一最小間距等于該柵結(jié)構(gòu)與該第二柵側(cè)邊之間的一最小間距。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一第二摻雜區(qū)，其中該裝置區(qū)包括一第一裝置區(qū)與一第二裝置區(qū)，該第一摻雜區(qū)是介于該第一裝置區(qū)與該第二裝置區(qū)，該第二摻雜區(qū)位于該第一裝置區(qū)中的該襯底中，互相分開的該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)具有相同的導(dǎo)電型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜區(qū)具有相對的一第一摻雜側(cè)邊與一第二摻雜側(cè)邊，該第一摻雜區(qū)與該第一摻雜側(cè)邊之間的一最小間距等于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜側(cè)邊之間的一最小間距。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜區(qū)具有相對的一第一摻雜側(cè)邊與一第二摻雜側(cè)邊，或者，該柵結(jié)構(gòu)與該第一摻雜側(cè)邊之間的一最小間距等于該柵結(jié)構(gòu)與該第二摻雜側(cè)邊之間的一最小間距。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

形成一第一摻雜區(qū)于鄰近一裝置區(qū)的一襯底中；以及

形成一柵結(jié)構(gòu)于該第一摻雜區(qū)上，其中該第一摻雜區(qū)與該柵結(jié)構(gòu)是互相重疊的。