[發(fā)明專利]多功能電子鎮(zhèn)流保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210304903.X
• 申請日: 2012-08-25
• 公開（公告）號: CN102802329A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王艷
• 申請（專利權(quán)）人: 成都方拓科技有限公司
• 主分類號: H05B41/285
• 分類號: H05B41/285
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子應(yīng)用領(lǐng)域，具體是指一種多功能電子鎮(zhèn)流保護電路。

背景技術(shù)

目前，熒光燈和節(jié)能燈是人們經(jīng)常要使用的電器，由于這些電器都是通過燈絲加熱或燈絲電離氣體來發(fā)光的，因此在使用時都需要用到電子鎮(zhèn)流器。但目前人們所使用的電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部的電路既不具有良好的反電勢保護功能、濾波整流功能和反接保護功能，因此當輸入的電壓因各種原因出現(xiàn)峰值突變、出現(xiàn)大量一、二次諧波時，該電子整流器便存在較大的安全隱患，不利于人們的廣泛使用和推廣。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部電路不具有良好的反電勢保護功能、濾波整流功能和反接保護功能缺陷，提供一種多功能電子鎮(zhèn)流保護電路。

本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：多功能電子鎮(zhèn)流保護電路，由異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2，與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R，與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級諧振保護電路，與異或門集成芯片U1相并聯(lián)的振蕩電路，與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護電路，與升壓保護電路輸入端相連接的穩(wěn)壓濾波電路，與諧振保護電路的輸出端相連接的自激高頻電路，以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的二級諧振保護電路組成。

所述穩(wěn)壓濾波電路由電感L1、電感L2以及二極管D3和電容C1組成，所述二極管D3的N極和P極分別與電感L1和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端，電容C1的兩端則分別與電感L1和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端，同時在電感L1處并聯(lián)有二極管D1，在電感L2處并聯(lián)有二極管D2。

所述升壓保護電路由相互串接的電阻R1和電容C2，一端連接在電阻R1和電容C2之間的雙向觸發(fā)二極管DB和二極管D4，以及串接在電阻R1的輸入端與雙向觸發(fā)二極管DB的輸出端之間的一級反接保護電路組成；而該一級反接保護電路由依次串接的熔斷器F、二極管D6和繼電器K1，以及與繼電器K1相并聯(lián)的二極管D5組成；所述熔斷器F與電阻R1之間的連接點通過繼電器K1的常開觸點與電感L1與電容C1的連接點相連接，而電容C2的另一端則與電容C1與電感L2的連接點相連接。

所述的振蕩電路由場效應(yīng)晶體管Q1，一端與場效應(yīng)晶體管Q1的柵極相連接、另一端與異或門集成芯片U1的輸入端相連接的耦合濾波電路，以及與場效應(yīng)晶體管Q1相并聯(lián)的二極管D1組成；所述的耦合濾波電路由相互并聯(lián)的電感L3和低頻濾波電容CT組成；所述的一級諧振保護電路由場效應(yīng)晶體管Q2，一端與場效應(yīng)晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C2、電容C4后與場效應(yīng)晶體管Q2的漏極相連接的電容C1，串接在電容C1與電容C2的連接點與場效應(yīng)晶體管Q2的漏極之間的電容C3，以及與電容C4相并聯(lián)的電感L2組成；所述異或門集成芯片U1的一個輸入端經(jīng)電阻R2后與雙向觸發(fā)二極管DB的輸出端相連接，另一個輸入端則與升壓保護電路中的二極管D4的N極相連接，其輸出端則與電容C1和電容C2的連接點相連接；異或門集成芯片U2的一個輸入端與電阻R2與異或門集成芯片U1的連接點相連接，另一個輸入端與升壓保護電路中的電容C2的另一端相連接，其輸出端則與電容C2與電容C4的連接點相連接。

所述的自激高頻電路包括場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，與場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路，以及反接保護電路；其中與場效應(yīng)晶體管Q1相并聯(lián)的耦合整流電路由連接在場效應(yīng)晶體管Q1的柵極與漏極之間的電感線圈L43，相互串接后再與電感線圈L43兩端相連接的二極管DT1和二極管DT2組成；與場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L42，以及相互串接后再與電感線圈L42兩端相連接的二極管DT3和二極管DT4組成；所述反接保護電路由順次串接的繼電器K2、二極管DT7、熔斷器F2及電感線圈L41，以及與繼電器K2相并聯(lián)的二極管DT8組成；同時，場效應(yīng)晶體管Q1與場效應(yīng)晶體管Q2的連接點經(jīng)繼電器K2的常開觸點后與一級諧振保護電路中的電感L2的一端相連接，電感線圈L41和電感線圈L42的次級端則與一級諧振保護電路中的電感L2的另一端相連接。

所述的二級諧振保護電路由場效應(yīng)晶體管Q3，一端與場效應(yīng)晶體管Q3的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C6、電容C8后與場效應(yīng)晶體管Q3的漏極相連接的電容C5，串接在電容C5與電容C6的連接點與場效應(yīng)晶體管Q3的漏極之間的電容C7，以及與電容C8相并聯(lián)的電感L4組成。

本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果：