[發明專利]開關、充電監視設備和可再充電電池模塊

在審

• 申請號: 201210304274.0
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102970014A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 小野和俊;柳瀬直人;田上浩康;執行信彥;鈴木登志生;塚本耕治
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H02J7/00;H01M10/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種用于接通/關斷第一端子和第二端子之間的連接的開關，包括：

第一晶體管電路，由在該第一端子和該第二端子之間串聯連接的兩個晶體管配置；和

第二晶體管電路，具有與所述兩個晶體管的源極端連接的柵極端和與所述兩個晶體管的柵極端連接的源極端，

通過在高和低電平之間切換所述第二晶體管電路的源極端的電勢，而在通和斷狀態之間切換該第一端子和該第二端子之間的連接。

2.根據權利要求1的開關，

其中所述兩個晶體管由具有彼此連接的源極端的第一P型MOS晶體管和第二P型MOS晶體管配置，和

所述第二晶體管電路包括第三P型MOS晶體管，其具有與所述第一和第二P型MOS晶體管的源極端連接的柵極端、和與所述第一和第二P型MOS晶體管的柵極端連接的源極端。

3.根據權利要求2的開關，其中所述第三P型MOS晶體管接通，以關斷所述第一P型MOS晶體管和所述第二P型MOS晶體管，由此切斷該第一端子和該第二端子之間的連接。

4.根據權利要求1的開關，

其中所述兩個晶體管由具有彼此連接的源極端的第一P型MOS晶體管和所述第二P型MOS晶體管配置，以及

所述第二晶體管電路包括第四N型MOS晶體管，該第四N型MOS晶體管具有與所述第一和第二P型MOS晶體管的源極端連接的柵極端和與所述第一和第二P型MOS晶體管的柵極端連接的源極端。

5.根據權利要求4的開關，其中所述第四N型MOS晶體管接通，以接通所述第一P型MOS晶體管和所述第二P型MOS晶體管，由此接通該第一端子和該第二端子之間的連接。

6.根據權利要求1的開關，

其中所述兩個晶體管由具有彼此連接的源極端的第五N型MOS晶體管和第六N型MOS晶體管配置，以及

所述第二晶體管電路包括第七P型MOS晶體管，該第七P型MOS晶體管具有與所述第五和第六N型MOS晶體管的源極端連接的柵極端和與所述第五和第六N型MOS晶體管的柵極端連接的源極端。

7.根據權利要求6的開關，其中所述第七P型MOS晶體管接通，以接通所述第五N型MOS晶體管和所述第六N型MOS晶體管，由此接通該第一端子和該第二端子之間的連接。

8.根據權利要求1的開關，

其中所述兩個晶體管由具有彼此連接的源極端的第五N型MOS晶體管和第六N型MOS晶體管配置，以及

所述第二晶體管電路包括第八N型MOS晶體管，該第八N型MOS晶體管具有與所述第五和第六N型MOS晶體管的源極端連接的柵極端和與所述第五和第六N型MOS晶體管的柵極端連接的源極端。

9.根據權利要求8的開關，其中所述第八N型MOS晶體管接通，以關斷所述第五N型MOS晶體管和所述第六N型MOS晶體管，由此切斷該第一端子和該第二端子之間的連接。

10.根據權利要求1的開關，進一步包括：

開關電路，配置為切換在所述兩個晶體管之間的連接點與預定固定電壓源之間的連接。

11.根據權利要求1的開關，

其中所述兩個晶體管由第九N型MOS晶體管和第十N型MOS晶體管配置，以及

所述第二晶體管包括第十一N型MOS晶體管和第十二N型MOS晶體管，該第十一N型MOS晶體管具有與所述第九N型MOS晶體管的源極端連接的柵極端、和與所述第九N型MOS晶體管的柵極端連接的源極端，以及該第十二N型MOS晶體管具有與所述第十N型MOS晶體管的源極端連接的柵極端、和與所述第十N型MOS晶體管的柵極端連接的源極端。

12.根據權利要求1的開關，進一步包括：

電流鏡電路，被配置為取決于是否要從該源極端提取電流，而在高和低電平之間切換所述第二晶體管電路的源極端處的電勢；和

開關電路，被配置為根據控制信號切換是否要向所述電流鏡電路供應電流。

13.根據權利要求12的開關，

其中所述電流鏡電路由彼此連接的多個電流鏡電路配置，以及

所述開關電路包括與所述電流鏡電路的柵極端之一連接的晶體管，并切換是否要向該晶體管供應電流，以切換是否要向所述電流鏡電路供應電流。