[發明專利]氮化鉭片式薄膜電阻器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210304258.1
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN102800448A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 劉劍林;嚴勇;羅向陽;朱沙;楊艦;張弦;史天柯;劉金鑫;李吉云;韓玉成
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C17/00
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

1.一種氮化鉭片式薄膜電阻器，包括絕緣基板（1），分別設置在絕緣基板（1）表面和背面的兩塊表電極（2）、兩塊背電極（3），設置在絕緣基板（1）兩端與表電極和背電極連接的端電極（4），表電極（2）、背電極（3）和端電極（4）表面覆蓋有中間電極（7），中間電極（7）表面覆蓋有外部電極（8），設置在兩塊表電極（2）之間與表電極（2）連接的電阻層（5），電阻層（5）表面覆蓋有絕緣包封層（6）；其特征在于：所述電阻層（5）是氮化鉭薄膜。

2.根據權利要求1所述的氮化鉭片式薄膜電阻器，其特征在于：所述絕緣基板（1）是氮化鋁基板。

3.一種權利要求1所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

a、表電極、背電極制作：在絕緣基板（1）表面印刷表電極（2），背面印刷背電極（3），印刷完成后將絕緣基板（1）在850±2℃下燒結8-12分鐘；

b、印刷阻擋層，在絕緣基板（1）表面印刷阻擋層，印刷完成后在150±2℃下烘干阻擋層7-9分鐘；

c、濺射電阻層：用磁控濺射的方法在印刷好阻擋層的絕緣基板（1）表面濺射一層電阻層（5）；

d、將濺射好的絕緣基板（1）進行真空熱處理；

e、用酒精清洗絕緣基板（1）上的阻擋層，清洗后在70-100℃烘箱中烘干10-15分鐘。

f、激光調阻：用激光對電阻層（5）進行微調，調整阻值到所需目標阻值和精度；

g、絕緣包封層制作：在電阻層（5）表面印刷包封漿料，干燥，然后置于200-230℃下燒結25-35分鐘；

h、端涂：將絕緣基板（1）按常規方法一次裂片，在裂片條的斷面涂刷端電極（4），然后置于200±2℃下燒結5-9分鐘；

i、電鍍：將絕緣基板（1）按常規方法二次裂片，然后進行電鍍，鍍鎳形成中間電極（7），鍍錫鉛合金形成外部電極（8）。

4.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟a中表電極（2）印刷厚度干燥后為13-22μm，背電極（3）印刷厚度干燥后為11-17μm，電極漿料為鈀銀合金。

5.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟c中采用磁控濺射法時電阻靶材為鉭靶，濺射功率200-800W，濺射時間3-15分鐘，預熱150-400℃。

6.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟c中磁控濺射氮化鉭時氮氣濃度0.5%-5%，流量0.5-5sccm。

7.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟d中進行真空熱處理，然后將絕緣基板（1）在200-600℃、真空度1.0E^-2pa-1.0E^-5pa下保溫2-48小時，隨爐冷卻。

8.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟f中激光調阻速度為20-100mm/s，熱處理條件為185-215℃下6-24小時。

9.根據權利要求3所述的氮化鉭片式薄膜電阻器的制造方法，其特征在于：步驟i中鎳層厚度為2-7μm，錫鉛合金層厚度為3-18μm。