[發(fā)明專利]具有碳氮氧化鈦涂層的切削鑲片及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210304255.8
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102965639A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 小阿爾弗雷德·S·蓋茨;班志剛
• 申請（專利權）人: 鈷碳化鎢硬質合金公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;B23B27/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種用于制造涂覆的切削鑲片的方法，包括以下步驟：

提供具有一個表面的基底；

用一種氣態(tài)混合物通過化學氣相沉積來沉積一個碳氮氧化鈦涂覆層，該氣態(tài)混合物包含：

氮氣，存在的量值是在約5摩爾百分比與約40摩爾百分比之間，

甲烷，存在的量值是在約0.5摩爾百分比與約8.0摩爾百分比之間，

氯化氫，任選地存在的量值為高達約5.0摩爾百分比，

四氯化鈦，存在的量值是在約0.2摩爾百分比與約3.0摩爾百分比之間，

乙腈，存在的量值是在約0.02摩爾百分比與約0.15摩爾百分比之間，

一氧化碳，存在的量值是在約0.4摩爾百分比與約2.0摩爾百分比之間，以及

氫氣，存在的量值是在約41.85摩爾百分比與約93.88摩爾百分比之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，用于沉積該碳氮氧化鈦涂覆層的氣態(tài)混合物包含：存在的量值在約10摩爾百分比與約35摩爾百分比之間的氮氣，存在的量值在約1摩爾百分比與約6.0摩爾百分比之間的甲烷，任選地存在的量值為高達約4.0摩爾百分比的氯化氫，存在的量值在約0.5摩爾百分比與約2.5摩爾百分比之間的四氯化鈦，存在的量值在約0.02摩爾百分比與約0.1摩爾百分比之間的乙腈，存在的量值在約0.4摩爾百分比與約1.8摩爾百分比之間的一氧化碳，以及存在的量值在約50.6摩爾百分比與約88.08摩爾百分比之間的氫氣。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，用于沉積該碳氮氧化鈦涂覆層的氣態(tài)混合物包含：存在的量值在約15摩爾百分比與約30摩爾百分比之間的氮氣，存在的量值在約1摩爾百分比與約5.0摩爾百分比之間的甲烷，任選地存在的量值為高達約3.0摩爾百分比的氯化氫，存在的量值在約0.5摩爾百分比與約2.0摩爾百分比之間的四氯化鈦，存在的量值在約0.02摩爾百分比與約0.08摩爾百分比之間的乙腈，存在的量值在約0.40摩爾百分比與約1.5摩爾百分比之間的一氧化碳，以及存在的量值在約58.87摩爾百分比與約83.08摩爾百分比之間的氫氣。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，用于沉積該碳氮氧化鈦涂覆層的氣態(tài)混合物包含：存在的量值等于約25.4摩爾百分比的氮氣，存在的量值等于約1.7摩爾百分比的甲烷，存在的量值等于約1.4摩爾百分比的氯化氫，存在的量值等于約0.7摩爾百分比的四氯化鈦，存在的量值等于約0.03摩爾百分比的乙腈，存在的量值等于約0.6摩爾百分比的一氧化碳，以及存在的量值等于約70.2摩爾百分比的氫氣。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，該沉積步驟是在等于約800℃與約950℃之間的溫度以及等于約60托與約500托之間的壓力下發(fā)生。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，該沉積步驟是在等于約895℃與約925℃之間的溫度以及等于約120托與約400托之間的壓力下發(fā)生。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，用于沉積該碳氮氧化鈦涂覆層的氣態(tài)混合物包含：存在的量值在約26摩爾百分比與約28摩爾百分比之間的氮氣，存在的量值在約4摩爾百分比與約5摩爾百分比之間的甲烷，存在的量值在約1.6摩爾百分比與約2.0摩爾百分比之間的氯化氫，存在的量值在約0.7摩爾百分比與約1.0摩爾百分比之間的四氯化鈦，存在的量值在約0.04摩爾百分比與約0.06摩爾百分比之間的乙腈，存在的量值在約0.7摩爾百分比與約1.1摩爾百分比之間的一氧化碳，以及存在的量值在約62.84摩爾百分比與約66.96摩爾百分比之間的氫氣。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，用于沉積該碳氮氧化鈦涂覆層的氣態(tài)混合物包含：存在的量值等于約27摩爾百分比的氮氣，存在的量值等于約4.5摩爾百分比的甲烷，存在的量值等于約1.8摩爾百分比的氯化氫，存在的量值等于約0.8摩爾百分比的四氯化鈦，存在的量值等于約0.05摩爾百分比的乙腈，存在的量值等于約0.9摩爾百分比的一氧化碳，以及存在的量值等于約64.9摩爾百分比的氫氣。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，該沉積步驟以約25分鐘與約150分鐘之間的持續(xù)時間發(fā)生。