[發(fā)明專利]一種絕緣柵雙極型晶體管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210304090.4
• 申請(qǐng)日: 2012-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN102790077A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李澤宏;趙起越;李巍;任敏;張金平;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種絕緣柵雙極型晶體管，包括金屬化集電極（1）、P型集電區(qū)（2）、N⁺緩沖層（3）、N^-漂移區(qū)（4）、P⁺體區(qū)（6）、P型基區(qū)（5）、N⁺源區(qū)（7）、二氧化硅柵氧化層（8）、多晶硅柵電極（9）、二氧化硅場(chǎng)氧化層（10）、金屬化發(fā)射極（11）；金屬化集電極（1）位于P型集電區(qū)（2）的背面，N⁺緩沖層（3）位于P型集電區(qū)（2）的正面，且上方同N^-漂移區(qū)（4）相連；N⁺源區(qū)（7）和P⁺體區(qū)（6）二者并排位于金屬化發(fā)射極（12）下方、且與金屬化發(fā)射極（12）相連，其中P⁺體區(qū)（6）下方與N^-漂移區(qū)（4）直接相連，N⁺源區(qū)（7）同N^-漂移區(qū)（4）之間隔著P型基區(qū)（5）；N^-漂移區(qū)（4）、P型基區(qū)（5）和N⁺源區(qū)（7）三者與多晶硅柵電極（9）之間隔著二氧化硅柵氧化層（8），多晶硅柵電極（9）與金屬化發(fā)射極（11）之間隔著二氧化硅場(chǎng)氧化層（10）；其特征在于，所述P⁺體區(qū)（6）中引入了帶有受主能級(jí)的深能級(jí)雜質(zhì)（12）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述深能級(jí)雜質(zhì)（12）的雜質(zhì)能級(jí)位于導(dǎo)帶底以下0.15eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述深能級(jí)雜質(zhì)（12）為銦、鈦、鈹、鋅或鎳。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述深能級(jí)雜質(zhì)（12）通過離子注入并推阱的方式引入到P⁺體區(qū)（6）中，或通過雜質(zhì)擴(kuò)散的方式引入到P⁺體區(qū)（6）中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述二氧化硅柵氧化層（8）和多晶硅柵電極（9）構(gòu)成的柵極結(jié)構(gòu)是平面柵結(jié)構(gòu)或溝槽柵結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管半導(dǎo)體材料采用體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅半導(dǎo)體材料。