[發明專利]一種具有高溫自保護功能的IGBT器件無效
| 申請號： | 201210303840.6 | 申請日： | 2012-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN102800697A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;趙起越;夏小軍;任敏;張金平;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 溫利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 高溫 保護 功能 igbt 器件 | ||
1.一種具有高溫自保護功能的IGBT器件，包括金屬化集電極（1）、P型集電區（2）、N+緩沖層（3）、N-漂移區（4）、P+體區（6）、P型基區（5）、N+源區（7）、二氧化硅柵氧化層（8）、多晶硅柵電極（9）、二氧化硅場氧化層（10）、金屬化發射極（11）；金屬化集電極（1）位于P型集電區（2）的背面，N+緩沖層（3）位于P型集電區（2）的正面，且上方同N-漂移區（4）相連；N+源區（7）和P+體區（6）二者并排位于金屬化發射極（12）下方、且與金屬化發射極（12）相連，其中P+體區（6）下方與N-漂移區（4）直接相連，N+源區（7）同N-漂移區（4）之間隔著P型基區（5）；N-漂移區（4）、P型基區（5）和N+源區（7）三者與多晶硅柵電極（9）之間隔著二氧化硅柵氧化層（8），多晶硅柵電極（9）與金屬化發射極（11）之間隔著二氧化硅場氧化層（10）；其特征在于，所述P型基區（5）中引入了帶有受主能級的深能級雜質（12）。
2.根據權利要求1所述的具有高溫自保護功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能級雜質（12）的雜質能級位于導帶底以下0.15eV。
3.根據權利要求1所述的具有高溫自保護功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能級雜質（12）為銦、鈦、鈹、鋅或鎳。
4.根據權利要求1所述的具有高溫自保護功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能級雜質（12）通過離子注入并推阱的方式引入到P型基區（5）中，或通過雜質擴散的方式引入到P型基區（5）中。
5.根據權利要求1所述的具有高溫自保護功能的IGBT器件，其特征在于，所述二氧化硅柵氧化層（8）和多晶硅柵電極（9）構成的柵極結構是平面柵結構或溝槽柵結構。
6.根據權利要求1所述的具有高溫自保護功能的IGBT器件，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管半導體材料采用體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅半導體材料。
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