[發明專利]一種半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210303691.3
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN103633016A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波;何平

1.一種半導體結構的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)在襯底上形成金屬互連線；

b)形成覆蓋所述金屬互連線的掩膜層，在所述掩膜層上形成暴露所述金屬互連線的開口；

c)通過所述開口刻蝕并斷開所述金屬互連線，實現金屬互連線的絕緣隔離。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬互連線的材料為銅、鎢、鋁、鎳。

3.根據權利要求1所述的方法，其中步驟a）中，所述襯底上具有一層或多層絕緣層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃中的一種或其組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中步驟c）中刻蝕并斷開所述金屬互連線的方法為RIE干法刻蝕、激光燒蝕、電子束刻蝕或聚焦離子束刻蝕。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，步驟a）包括：

i）在絕緣層上形成一層光刻膠，并進行圖形化；

ii）刻蝕所述絕緣層形成溝槽；

iii）在所述溝槽中形成金屬互連線。

7.根據權利要求6所述的方法，其中步驟iii）中形成金屬互連線之前還包括在所述溝槽的側壁形成阻擋層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述阻擋層的材料為Ti、TiN、Ta、TaN等。

9.根據權利要求1所述的方法，其中步驟c）中還包括：完成所述金屬互連線刻蝕之后，填充所述開口。

10.根據權利要求9所述的方法，填充所述開口的材料為SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON等。

11.一種半導體結構，包括襯底以及在襯底中形成的金屬互聯線，其中：

金屬互聯線端點之間被形成在襯底中的絕緣墻所斷開。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其中，所述絕緣墻的材料與襯底的材料不同。

13.根據權利要求11或12所述的半導體結構，其中，所述絕緣墻的厚度小于所述金屬互聯線的寬度。