[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210303540.8
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN103632971A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 劉金華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成一氧化硅層和一氮化硅層；

蝕刻所述氮化硅層和所述氧化硅層，以在所述半導體襯底上形成一虛擬柵極結構；

執行一低摻雜離子注入，以在所述半導體襯底中形成未激活的低摻雜源/漏區；

執行一袋狀區離子注入，以在所述半導體襯底中形成未激活的袋狀區；

在所述半導體襯底上形成一犧牲層，以覆蓋所述虛擬柵極結構；

研磨所述犧牲層，以露出所述虛擬柵極結構的頂部；

去除所述虛擬柵極結構，以獲得用于形成柵極結構的凹槽；

在所述凹槽中形成所述柵極結構；

在所述柵極結構的兩側形成緊靠所述柵極結構的側壁結構；

執行一重摻雜離子注入并退火，以在所述半導體襯底中形成重摻雜源/漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述氧化硅層和所述氮化硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述袋狀區離子注入之后，還包括執行一快速熱退火工藝的步驟。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述快速熱退火步驟分兩次進行，即在所述低摻雜離子注入之后進行第一次快速熱退火步驟以及在所述袋狀區離子注入之后進行第二次快速熱退火步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述袋狀區離子注入的離子與所述低摻雜離子注入的離子導電類型相反。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述犧牲層。

7.根據權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氧化物。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，以所述犧牲層為掩膜，采用等離子體蝕刻工藝實施所述虛擬柵極結構的去除。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述柵極結構的工藝步驟包括：在所述凹槽的底部先形成一柵極介質層；再在所述半導體襯底上形成一柵極材料層，以完全填充所述凹槽；然后，研磨所述柵極材料層，以露出所述犧牲層；最后，去除所述犧牲層。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述側壁結構包括至少一層氧化物層和/或至少一層氮化物層。