[發明專利]氮化物半導體發光元件和裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201210303036.8 | 申請日： | 2012-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN102956770A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 翁宇峰 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 岳雪蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 元件 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體發光元件，包括：
基板；
氮化物半導體多層部分，設置在所述基板上；以及
保護層，設置在所述氮化物半導體多層部分的上部上，
其中所述氮化物半導體多層部分包括發光層，且
氣隙層形成在所述基板與所述發光層之間的區域以及所述發光層與所述保護層之間的區域的至少之一中。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，還包括：
電流擴散層，設置在所述氮化物半導體多層部分上，
其中所述氣隙層設置在所述電流擴散層和所述保護層之間。
3.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，
其中所述氮化物半導體多層部分還包括：第一氮化物半導體層，設置在所述基板和所述發光層之間；以及第二氮化物半導體層，設置在所述發光層和所述保護層之間，并且
所述氣隙層形成在所述第一氮化物半導體層中的區域和所述第二氮化物半導體層中的區域的至少之一中。
4.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，還包括：
固體層，在所述發光層的主面的法線方向上被設置為鄰近所述氣隙層，
其中所述固體層相對于所述氣隙層具有高的折射率對比度，且所述固體層與所述氣隙層配對而形成反射鏡。
5.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，還包括：
連接電極，設置在所述氮化物半導體多層部分的上部上；以及
第一高反射電極層，設置在所述氮化物半導體多層部分和所述連接電極之間。
6.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，
其中所述氮化物半導體多層部分還包括設置在所述基板和所述發光層之間的第一氮化物半導體層，且
所述氮化物半導體發光元件還包括：
接觸電極，設置在所述第一氮化物半導體層的上部上；以及
第二高反射電極層，設置在所述第一氮化物半導體層和所述接觸電極之間。
7.一種氮化物半導體發光裝置，包括：
氮化物半導體發光元件，包括：
基板；
氮化物半導體多層部分，設置在所述基板上且具有發光層；以及
保護層，設置在所述氮化物半導體多層部分的上部上；
封裝基板，所述氮化物半導體發光元件安裝在該封裝基板上；以及
樹脂密封部分，該樹脂密封部分是透光的且密封安裝在所述封裝基板上的所述氮化物半導體發光元件，
其中氣隙層形成在所述氮化物半導體發光元件中的所述基板和所述發光層之間的區域、所述氮化物半導體發光元件中的所述發光層和所述保護層之間的區域以及所述封裝基板中的區域的至少之一中。
8.一種氮化物半導體發光元件的制造方法，包括：
在基板上設置具有發光層的氮化物半導體多層部分的步驟；
在所述氮化物半導體多層部分的上部上設置保護層的步驟；以及
在所述基板和所述發光層之間的區域以及所述發光層和所述保護層之間的區域的至少之一中形成氣隙層的步驟。
9.根據權利要求8所述的氮化物半導體發光元件的制造方法，還包括：
在所述發光層的主面的法線方向上鄰近所述氣隙層設置固體層的步驟，其中所述固體層相對于所述氣隙層具有高的折射率對比度，并且所述固體層與所述氣隙層配對而形成反射鏡。
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