[發明專利]一種消除GISVFTO殘余電荷的泄漏電阻系統

有效

• 申請號: 201210302329.4
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN102832562A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 譚向宇;楊卓;趙現平;王達達;王科;彭晶;張少泉;馬儀;陳磊;徐肖偉;劉紅文;馬宏明;文斌;王振
• 申請（專利權）人: 云南電力試驗研究院(集團)有限公司電力研究院;云南電網公司技術分公司
• 主分類號: H02B13/075
• 分類號: H02B13/075
• 代理公司: 昆明大百科專利事務所 53106
• 代理人: 何健;張代民

技術領域

本發明涉及用于GIS本體殘余電荷測量、消除和無害化技術領域。

背景技術

GIS（Gas?Insulated?Switchgear，氣體絕緣組合電器）作為加工工藝復雜，安全性高，一直被用于電力系統供電質量要求高的場合，實現盡可能的不間斷供電，承擔著大容量、大負荷的供電系統。然而GIS由于其內部充有SF₆氣體，該氣體絕緣強度高，迄今為止絕緣性能最高的絕緣氣體，雖然其絕緣性能強度，但隨之帶來的是SF₆氣體內部由于隔離開關或斷路器動作時產生高幅值的快速暫態過電壓（VFTO，Very?Fast?Transient?Overvoltage），這種VFTO脈沖波的前沿非常陡，其前沿多在10ns至幾十ns之間?？烨把氐拿}沖雖然幅值沒有雷電沖擊電壓高，但由于其前沿陡，導致其對電力設備的影響方式也不同，面對常規絕緣結構設計，主要應對的是雷電電壓水平，因而VFTO脈沖波的影響也越嚴重。大量電力生產經驗表明，繞組類電氣設備和二次類設備對與VFTO的防護較差，引起設備大量出現故障。因此，VFTO對與GIS的威脅非常嚴重。同時，隨著VFTO陡波的出現，也給GIS本體帶來了大量的殘余電荷。這些殘余電荷數量大，殘留在GIS設備中，致使GIS設備內部電場分布不均勻，絕緣強度明顯降低。因此，如何消除VFTO發生過后，GIS本體內部的殘余電荷是目前GIS絕緣的一個重要問題。

發明內容

本發明的目的在于解決目前沒有直流局放測試系統，提出一種直流電壓極性轉換用局放測試系統，是用于消除殘余電荷的影響的泄漏電阻系統。

本發明是通過下列技術方案來實現的。

一種消除GISVFTO殘余電荷的泄漏電阻系統，包括雙斷口隔離開關、大功率電阻片、上鐵氧體磁環、盆式絕緣子、下鐵氧體磁環，本發明特征是：雙斷口隔離開關直接與高壓導體相連并通過高壓導體連接至大功率電阻片，大功率電阻片的中段位置直接通過上鐵氧體磁環連接至GIS外殼，大功率電阻片的末端通過下鐵氧體磁環連接至GIS外殼，GIS外殼直接接地，最終將VFTO脈沖攜帶的殘余電荷消耗吸收殆盡。

?下面結合附圖及實例進一步說明本發明內容。

附圖說明

圖1消除GISVFTO殘余電荷的泄漏電阻系統示意圖。

圖中：1、雙斷口隔離開關；2、大功率電阻片；3、上鐵氧體磁環；4、接地；5、GIS外殼；6、盆式絕緣子；7、VFTO脈沖；8、下鐵氧體磁環；9、高壓導體。

具體實施方式

一種消除GISVFTO殘余電荷的泄漏電阻系統，包括雙斷口隔離開關1、大功率電阻片2、上鐵氧體磁環3、盆式絕緣子6、下鐵氧體磁環8，本發明特征是：雙斷口隔離開關1直接與高壓導體9相連并通過高壓導體9連接至大功率電阻片2，大功率電阻片2的中段位置直接通過上鐵氧體磁環3連接至GIS外殼5，大功率電阻片2的末端通過下鐵氧體磁環3連接至GIS外殼5，GIS外殼5直接接地4，最終將VFTO脈沖7攜帶的殘余電荷消耗吸收殆盡。

如圖1所示，該圖給出了消除GISVFTO殘余電荷的泄漏電阻系統示意圖。圖中主要表明雙斷口隔離開關1在GIS本體運行狀態情況下，隔離開關1雙斷口均斷開，保持零電位狀態，但當GIS內部VFTO脈沖7消失后，由于GIS內部存在大量空間電荷和殘余電荷，使得高壓導體9本身帶有大量電荷，不能通過人體或者電力設備直接與之連接，此時需通過雙斷口隔離開關1連接至高壓導體9，相當于給VFTO脈沖7串聯大功率電阻片2，兩只上鐵氧體磁環3、下鐵氧體磁環8分別連接至大功率電阻片2的中部和尾端，然后直接接地4，形成電路通道將大量電荷消散和消除。