[發(fā)明專(zhuān)利]一種IGBT模塊的覆銅陶瓷基板結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210301567.3
• 申請(qǐng)日: 2012-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102820277A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘玉林;蘇偉;孟金磊;溫旭輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院電工研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L23/15
• 代理公司: 北京科迪生專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 11251
• 代理人: 關(guān)玲

1.一種IGBT模塊的覆銅陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的覆銅陶瓷基板為三層，中間一層為陶瓷層，正面和背面為覆銅層；所述的背面為整塊覆銅，所述正面的覆銅層帶有刻蝕的圖形結(jié)構(gòu)；所述正面的覆銅層還有窄帶狀的輔助控制極銅箔，所述的窄帶狀的輔助控制極銅箔用于與控制端子的連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT模塊的覆銅陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的正面的覆銅層包括流過(guò)主電流的銅箔和輔助控制極的銅箔；所述的流過(guò)主電流的銅箔包括：與上管IGBT芯片集電極（113）相連的上管集電極銅箔（122），與上管IGBT芯片發(fā)射極相連的上管發(fā)射極銅箔（121），以及與下管IGBT芯片（114）的發(fā)射極相連的下管發(fā)射極銅箔（120）；所述的輔助控制極的銅箔包括：上管IGBT芯片的輔助柵極控制銅箔（111）；上管IGBT芯片的輔助發(fā)射極控制銅箔（110）；下管IGBT芯片的輔助柵極控制銅箔（102），以及下管IGBT芯片的輔助發(fā)射極控制銅箔（101）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT模塊的覆銅陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的輔助控制極銅箔中，上管IGBT的柵極控制端子（116）通過(guò)綁定線連接到上管IGBT芯片的輔助柵極控制銅箔（111），并通過(guò)綁定線進(jìn)一步連接到IGBT芯片的柵極焊盤(pán)（117）；上管IGBT芯片的發(fā)射極控制端子（115）通過(guò)綁定線連接到上管IGBT的輔助發(fā)射極控制銅箔（110），并通過(guò)綁定線連接到與上管IGBT芯片的發(fā)射極端相連的所述的上管發(fā)射極銅箔（121）；下管IGBT芯片的柵極控制端子（103）通過(guò)綁定線連接到下管IGBT的輔助柵極控制銅箔（102），并通過(guò)綁定線進(jìn)一步連接到IGBT芯片的柵極焊盤(pán)（109）；下管IGBT芯片的發(fā)射極控制端子（104）通過(guò)綁定線連接到下管IGBT芯片的輔助發(fā)射極控制銅箔（101），并通過(guò)綁定線連接到與下管IGBT芯片的發(fā)射極端相連的所述下管發(fā)射極銅箔（120）。