[發明專利]一種不銹鋼基薄膜太陽電池的背保護薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 201210301371.4 | 申請日： | 2012-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN102790109A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發明（設計）人： | 褚君浩;楊立紅;馬小鳳;明靜;左少華;陶嘉華;石富文 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能電池研究與發展中心 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 201201 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 不銹鋼 薄膜 太陽電池 保護 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種不銹鋼基薄膜太陽電池的背保護薄膜，其特征在于：該背保護薄膜由鉬鉭合金組成，其中鉭元素的原子含量比例范圍為4-12％，薄膜厚度為200-600nm。
2.一種不銹鋼基薄膜太陽電池的背保護薄膜的制備方法，其步驟如下：
A．不銹鋼基底的清洗：
首先將不銹鋼基底放入由堿液、丙酮和乙醇，配比為2：1：2，濃度為50％的混合液中清洗，然后再用去離子水沖洗干凈，并用高純N2氣吹干；
B．背保護薄膜的制備：
首先將上述高純N2氣吹干后的不銹鋼基底和鉬鉭合金靶材放入射頻磁控濺射設備的真空室中，待本底真空抽到低于4×10-4Pa時，沖入高純Ar氣充當工作氣體，且工作氣壓PAr保持在0.35-0.60Pa范圍內；
磁控濺射參數范圍設定：濺射功率保持在80-150w范圍內，濺射溫度保持在20-200℃范圍內，靶材與基底之間的間距保持在5-10cm范圍內，濺射時間根據薄膜厚度要求而定；
所說的鉬鉭合金靶材，其中鉭元素的原子含量比例范圍為4-12％。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
