[發明專利]超高導熱金屬基板及其制造工藝無效
| 申請號: | 201210301350.2 | 申請日: | 2012-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN103002655A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 傅立銘 | 申請(專利權)人: | 蘇州金科信匯光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/05 | 分類號: | H05K1/05;H05K3/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/34;C23C28/00;C25D5/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超高 導熱 金屬 及其 制造 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種金屬基板,尤其涉及一種超高導熱金屬基板。
背景技術
現階段電子產品均以輕薄短小為主,但是對散熱的需求卻絲毫不減,故對電子產品的金屬基板的散熱性要求較高,高性能的金屬基板變得極為重要。
金屬基板由導熱絕緣層、金屬板及銅箔組成,銅箔用于形成線路。目前常用的鋁基板與銅基板通常以薄銅片為金屬板,以導熱膠為導熱絕緣介質對鋁板或銅板進行壓合而成。鋁基板與銅基板導熱率均不夠高,約0.5?W/mk?-8?W/mk;另一方面,金屬基板主要熱阻產生于導熱膠,導熱膠的導熱率8W/mk,故導熱率不好。導熱率與絕緣性相互制約。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種超高導熱金屬基板,導熱率與絕緣性穩定,且導熱率超高。
為解決上述技術問題,本發明提供一種超高導熱金屬基板,由導熱絕緣層、金屬板及銅層組成,其特征是,所述導熱絕緣層為采用蒸鍍或濺鍍法在所述金屬板表面產生的一層氮化鋁或氧化鋁薄膜。
所述氮化鋁或氧化鋁薄膜為厚度10μm以上的均勻薄膜。
所述銅層包括在導熱絕緣層之上采用蒸鍍或濺鍍的方式形成的第一銅層。
所述銅層還包括在所述第一銅層上以電鍍法將所述第一銅層繼續加厚的部分。
基于權利要求1所述的超高導熱金屬基板制造工藝,其特征是,包括以下步驟:
將氮話鋁或氧化鋁采用蒸鍍或濺鍍的加工方式,在金屬板表面產生一層均勻薄膜,?作為導熱絕緣層;
在導熱絕緣層之上,再采用蒸鍍或濺鍍的加工方式將銅均勻涂布,形成第一銅層;
將金屬板背面貼上保護膜,置入電解槽中,加上電極,以電鍍法將所述第一銅層加厚。
在所述金屬板表面產生的氮話鋁或氧化鋁均勻薄膜厚度為10μm以上。
所述第一銅層厚度在10μm以上。
所述第一銅層加厚到0.2mm以上。
本發明所達到的有益效果:
本發明的超高導熱金屬基板突破了導熱與絕緣限制,采用氮化鋁或氧化鋁為絕緣介質,并采用半導體制程中的蒸鍍或濺鍍的加工方式控制膜厚,使金屬基板的導熱率與絕緣性穩定,導熱率超高。
附圖說明
圖1是本發明的金屬基板示意圖;
圖中,金屬板1、銅箔2、導熱絕緣層3。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
如圖1所示,本發明的金屬基板由導熱絕緣層3、金屬板1及銅箔2組成。金屬板1與銅箔2中間的導熱絕緣層3介質為蒸鍍或濺鍍法植入的氮化鋁或氧化鋁。
本發明的超高導熱金屬基板制造工藝步驟:
將氮話鋁或氧化鋁采用蒸鍍或濺鍍的加工方式,在金屬板1表面產生一層10μm以上厚度的均勻薄膜,?作為導熱絕緣層3;薄膜越厚成本越高;
在導熱絕緣層3之上,再采用蒸鍍或濺鍍的加工方式,將銅均勻涂布10μm以上厚度,形成銅層;
將金屬板1背面貼上保護膜,置入電解槽中,加上電極,以電鍍法將表面的銅層加到0.2mm以上,即形成了本發明的超高導熱金屬基板,其導熱率可達100?W/mk。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和變形,這些改進和變形也應視為本發明的保護范圍。?
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