[發明專利]一種碲化鉍系納米熱電材料的制備方法

在審

• 申請號: 201210301336.2
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN103626138A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 張谷令;王文忠
• 申請（專利權）人: 中央民族大學
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C01B19/04;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碲化鉍系納米熱電材料的制備方法，其特征在于將原材料粉末與分散體材料混合，所述分散體材料能夠為所述原材料提供反應環境并不參與其反應，在高溫爐內無氧升溫至所述分散體材料熔點，保溫若干時間，所得產物即為所述碲化鉍系納米熱電材料。

2.按照權利要求1所述的碲化鉍系納米熱電材料的制備方法，其特征在于：所述碲化鉍系納米熱電材料的制備步驟具體為：稱取適量分散體材料研磨30～60分鐘，按照相應化合物摩爾配比稱取原材料粉末與研磨好的分散體材料混合均勻，再研磨10～30分鐘，將該混合物以耐高溫容器載入高溫爐內，然后無氧升溫至所述分散體材料的熔點，保溫30～300分鐘，反應完成后自然冷卻至室溫，取出生成物用水洗滌、烘干，所得粉末即為所述碲化鉍系納米熱電材料。

3.按照權利要求1和2所述的碲化鉍系納米熱電材料的制備方法，其特征在于：所述分散體材料為氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、硝酸鈉和硝酸鉀中的一種。

4.按照權利要求1和2所述的碲化鉍系納米熱電材料的制備方法，其特征在于：所述的納米熱電材料為Bi₂Te₃、Sb₂Te₃、Bi_xSb_2-xTe₃和Bi_xSb_1-x中的一種。

5.按照權利要求3和4所述的碲化鉍系納米熱電材料的制備方法，其特征在于：所述無氧升溫為在無氧環境中生長，所述無氧環境為真空保護、氬氣保護和氦氣保護中的一種。