[發(fā)明專利]層疊型電子元器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210301278.3 | 申請(qǐng)日: | 2008-09-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102842425A | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 礒島仁士朗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H01G4/232 | 分類號(hào): | H01G4/232;H01G4/30;H01G4/40;H01P1/203;H01P11/00;H03H7/09 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 層疊 電子元器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種層疊型電子元器件,其特征在于,
包括:
層疊含有第一絕緣體層及第二絕緣體層的多個(gè)絕緣體層而形成的層疊體;
形成于所述層疊體內(nèi)的第一電容器及第二電容器;
在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體及第二層間連接導(dǎo)體;以及
在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為與所述第一電感器進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體及第四層間連接導(dǎo)體,
所述第一電容器及所述第一電感器形成第一諧振電路,并且所述第二電容器及所述第二電感器形成第二諧振電路,
所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體在離開第一距離的狀態(tài)下形成于所述第一絕緣體層,
所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體在離開與所述第一距離不同的第二距離的狀態(tài)下形成于所述第二絕緣體層,并且分別與外部接地電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,
在所述第一絕緣體層內(nèi),僅形成所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體,
在所述第二絕緣體層內(nèi),僅形成所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子元器件,其特征在于,
還包括形成于所述層疊體內(nèi)的接地電極,
所述第一電容器及所述第二電容器,在層疊方向位于所述第一電感器及所述第二電感器、與所述接地電極之間。
4.如權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子元器件,其特征在于,
還包括形成于所述層疊體內(nèi)的公共電極,
所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第二層間連接導(dǎo)體電連接,
所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第四層間連接導(dǎo)體電連接,
所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第一電容器連接,
所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第二電容器連接,
所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體通過所述公共電極電連接。
5.如權(quán)利要求3所述的層疊型電子元器件,其特征在于,
還包括形成于所述層疊體內(nèi)的公共電極,
所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第二層間連接導(dǎo)體電連接,
所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第四層間連接導(dǎo)體電連接,
所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第一電容器連接,
所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第二電容器連接,
所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體通過所述公共電極電連接。
6.如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的層疊型電子元器件,其特征在于,
所述第一距離大于所述第二距離。
7.一種層疊型電子元器件的制造方法,所述層疊型電子元器件含有由第一電容器及第一電感器構(gòu)成的第一諧振電路和由第二電容器及第二電感器構(gòu)成的第二諧振電路,所述制造方法的特征在于,
包括:
將起到作為所述第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體、離開第一距離而形成于第一絕緣體層的第一工序;
將起到作為所述第一電感器的作用的第二層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第四層間連接導(dǎo)體、離開與所述第一距離不同的第二距離而形成于第二絕緣體層的第二工序;以及
層疊所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層的第三工序。
8.如權(quán)利要求7所述的層疊型電子元器件的制造方法,其特征在于,
在所述第三工序中,為了調(diào)整所述層疊型電子元器件的特性,而調(diào)整所述第一絕緣體層的片數(shù)與所述第二絕緣體層的片數(shù)來進(jìn)行層疊。
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