[發明專利]光波轉換層及具有光波轉換層的太陽能電池無效
| 申請號: | 201210301087.7 | 申請日: | 2012-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN103378182A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 陳彥吉;陳偉銘;王瑞麟 | 申請(專利權)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;常大軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光波 轉換 具有 太陽能電池 | ||
1.一種光波轉換層,配置于一太陽能電池,其特征在于,
該光波轉換層以至少一光致發光材料混合一金屬材料而形成電極,吸收一太陽光中波長介于600nm~2,000nm之間的一吸收光并上轉換為較該吸收光的波長為短且波長介于200~1,200nm之間的一轉換光,再由該金屬材料將該轉換光散射至該太陽能電池中以進行二次吸收。
2.根據權利要求1所述的光波轉換層,其特征在于,該光致發光材料是選自:一螢光材料、一染料、一量子點及其組合。
3.根據權利要求1所述的光波轉換層,其特征在于,該光致發光材料的粒徑在1納米(nm)至30微米(um)之間。
4.一種具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,包括:
一半導體基板,其表面具有至少一摻雜層,該半導體基板可吸收一太陽光而轉換為一光電流;
至少一抗反射層,設置于該摻雜層之上;及
一光波轉換層,設置于該半導體基板下方而背對該至少一抗反射層,該光波轉換層吸收該太陽光中波長介于600nm~2,000nm之間的一吸收光并上轉換為較該吸收光波長為短且介于200~1,200nm之間的一轉換光,再將該轉換光散射至該半導體基板以進行二次吸收。
5.根據權利要求4所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該紅外光的波長是為大于750納米,且該可見光的波長是為400~700納米之間。
6.根據權利要求4所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該光波轉換層是為一背面電極的材料混和至少一光致發光材料而形成。
7.根據權利要求6所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該至少一光致發光材料是為一螢光材料、一染料、一量子點材料或其組合。
8.根據權利要求6所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該光致發光材料的粒徑在1納米至30微米之間。
9.根據權利要求6所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該至少一光致發光材料于該光波轉換層的配置方式是選自:均勻分布于該光波轉換層、隨機分布于該光波轉換層、分布于該光波轉換層的上表面、分布于該光波轉換層的下表面、分布于該光波轉換層中間、同時分布于該光波轉換層的上表面與下表面、分布于該光波轉換層的上表面至中間處且濃度由高至低、分布于該光波轉換層的下表面至中間處且濃度由高至低。
10.根據權利要求6所述的具有光波轉換層的太陽能電池,其特征在于,該背面電極的材料為鋁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





