[發明專利]封裝方法和封裝的半導體器件

在審

• 申請號: 201210300990.1
• 申請日: 2012-08-22
• 公開（公告）號: CN103311138A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 陳孟澤;林威宏;蔡鈺芃;林俊成;林志偉;鄭明達;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種封裝方法，包括：

提供第一管芯；

部分封裝所述第一管芯；

在部分封裝的第一管芯的表面上形成多個焊球；

在所述多個焊球上方設置環氧助焊劑；

提供第二管芯；

部分封裝所述第二管芯；以及

將所述多個焊球連接到部分封裝的第二管芯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述環氧助焊劑包括將所述多個焊球浸入所述環氧助焊劑中或者在所述多個焊球上噴灑所述環氧助焊劑。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述多個焊球連接到所述部分封裝的第二管芯包括回流所述焊球的焊接材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個焊球包括多個第一焊球，所述方法還包括在將所述多個第一焊球連接到所述部分封裝的第二管芯之前在所述部分封裝的第二管芯的表面上形成多個第二焊球，以及將所述多個焊球連接到所述部分封裝的第二管芯包括將所述多個第一焊球連接到所述多個第二焊球。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述環氧助焊劑包括設置包括填充物材料的環氧助焊劑。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述填充物材料用于增加所述環氧助焊劑的熱導率。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述填充物材料包括SiO₂或者氮化鋁。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，部分封裝所述第一管芯或者部分封裝所述第二管芯包括將所述第一管芯或者所述第二管芯連接到襯底通孔(TSV)中介層，所述TSV中介層包括重新分布層(RDL)。

9.一種封裝方法，包括：

提供第一管芯；

提供第一中介層，所述第一中介層具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，所述第一中介層包括第一襯底，所述第一襯底具有形成于其中的多個第一襯底通孔(TSV)；

將所述第一管芯附接到所述第一中介層的第二表面；

將多個焊球連接到所述第一中介層的第一表面；

提供第二管芯；

提供第二中介層，所述第二中介層具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，所述第二中介層包括第二襯底，所述第二襯底包括形成于其中的多個第二TSV；

將所述第二管芯附接到所述第二中介層的第二表面；

在所述第一中介層上的所述多個焊球上形成環氧助焊劑；以及

將所述第一中介層上的所述多個焊球附接到所述第二中介層的第二表面。

10.一種封裝的半導體器件，包括：

第一管芯，連接到第一襯底；

第二管芯，連接到第二襯底；

多個焊點，連接在所述第一襯底與所述第二襯底之間；以及

環氧助焊劑，連接到所述多個焊點中的每個焊點。