[發(fā)明專利]氮化物半導體基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210300925.9 | 申請日： | 2008-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN102856455A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吉田治正;高木康文;桑原正和 | 申請（專利權）人： | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 | ||
【權利要求書】：
1.氮化物半導體基板，其特征在于，
具有：
GaN系半導體層，該GaN系半導體層在基底層上生長，沿厚度方向的截面基本上為三角形狀，且所述GaN系半導體層呈周期性的條紋狀，在該條紋的斜面上設置有凹凸面；以及
在所述GaN系半導體層上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入層。
2.如權利要求1所述的氮化物半導體基板，其特征在于，
所述凹凸面為基本上沿著所述條紋的斜面的傾斜度的斜面，且由多個小斜面形成，所述小斜面的垂線方向在水平截面上遍及多個方向。
3.氮化物半導體基板，其特征在于，
具有：
GaN系半導體層；以及
在所述GaN系半導體層上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入層，
所述GaN系半導體層具有多個突出的條紋，
在所述條紋的兩側面分別具有凹凸面。
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