[發(fā)明專利]太陽能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210300871.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103178132A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李景洙;崔亨旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;張旭東 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及太陽能電池,更具體地涉及具有發(fā)射極層和后表面場(chǎng)層的太陽能電池。
背景技術(shù)
近來,由于預(yù)期現(xiàn)有能源例如石油或煤將耗盡,所以增長(zhǎng)了對(duì)替代石油或煤的替代能源的興趣。特別地,直接將太陽能轉(zhuǎn)換或轉(zhuǎn)變成電力的太陽能電池獲得了關(guān)注。
通過根據(jù)預(yù)定設(shè)計(jì)形成多個(gè)層和電極來制造太陽能電池。這樣,太陽能電池的效率會(huì)根據(jù)多個(gè)層電極的設(shè)計(jì)而變化。例如,當(dāng)電極的面積過分地大時(shí),遮光損耗和用于制造太陽能電池的材料的量會(huì)增加。當(dāng)電極的面積過分地小時(shí),太陽能電池的電阻會(huì)增加。因此,為了最大化太陽能電池的效率,需要設(shè)計(jì)多個(gè)層和電極。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式關(guān)注于能夠最大化效率并且最小化用于制造太陽能電池的材料的量的太陽能電池。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的太陽能電池包括:第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底;第二導(dǎo)電類型的發(fā)射極層,該發(fā)射極層形成在所述半導(dǎo)體襯底的前表面和后表面中的至少一個(gè)上;形成在所述半導(dǎo)體襯底的后表面上的后表面場(chǎng)層;形成在所述發(fā)射極層上并且電連接到所述發(fā)射極層的第一電極;以及形成在所述后表面場(chǎng)層上并且電連接到所述后表面場(chǎng)層的第二電極。所述后表面場(chǎng)層包括:在未形成第二電極的部分上形成并且具有第一電阻的第一部分;以及與第二電極接觸并且具有低于所述第一電阻的第二電阻的第二部分。所述第二電極包括多個(gè)指狀電極。所述多個(gè)指狀電極彼此平行并且彼此間隔約0.1到約1mm的距離,并且所述多個(gè)指狀電極具有約50μm到約70μm的寬度。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的太陽能電池的后立體圖。
圖2是圖1中所示的太陽能電池的一部分的截面圖。
圖3是示出根據(jù)發(fā)明實(shí)施方式的太陽能電池的第二電極的平面圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)性實(shí)施方式的太陽能電池的串聯(lián)電阻的圖。
圖5是本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)性實(shí)施方式的太陽能電池的飽和電流的圖。
圖6是本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)性實(shí)施方式的太陽能電池的串聯(lián)電阻和飽和電流的乘積的圖。
圖7是本發(fā)明的比較實(shí)施方式1的太陽能電池的串聯(lián)電阻的圖。
圖8是本發(fā)明的比較實(shí)施方式1的太陽能電池的飽和電流的圖。
圖9是本發(fā)明的比較實(shí)施方式1的太陽能電池的串聯(lián)電阻和飽和電流的乘積的圖。
圖10是本發(fā)明的比較實(shí)施方式2的太陽能電池的串聯(lián)電阻和飽和電流的乘積的圖。
圖11是本發(fā)明的比較實(shí)施方式3的太陽能電池的串聯(lián)電阻和飽和電流的乘積的圖。
圖12是根據(jù)發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的太陽能電池的截面圖。
具體實(shí)施方式
在下文,將參照附圖描述發(fā)明的實(shí)施方式。然而,本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式,并且實(shí)施方式的多種修改是可能的。
為了清楚和簡(jiǎn)潔地例示發(fā)明的實(shí)施方式,在附圖中省略了與本發(fā)明不相關(guān)的元件。而且,彼此類似或相同的元件具有相同的附圖標(biāo)記。另外,層和區(qū)域的尺寸被放大或示意性地示出,或者為了清楚例示,一些層被省略。另外,畫出的每個(gè)部分的尺寸可能不反映真實(shí)尺寸。
在下面的描述中,當(dāng)一層或襯底“包括”另一個(gè)層或部分時(shí),可理解為該層或襯底還包括再一個(gè)層或部分。而且,當(dāng)提到層或膜在另一個(gè)層或襯底“上”時(shí),其可以直接在另一個(gè)層或襯底上,或者還可出現(xiàn)中間層。而且,當(dāng)提到層或膜“直接”在另一個(gè)層或襯底“上”時(shí),其可直接在另一個(gè)層或襯底上,因而沒有中間層。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的太陽能電池的后立體圖,圖2是圖1示出的太陽能電池一部分的截面圖。
參照?qǐng)D1和圖2,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的太陽能電池100包括:半導(dǎo)體襯底10、在或鄰近半導(dǎo)體襯底10的第一表面(下文,稱為“前表面”)和第二表面(下文,稱為“后表面”)中的至少一個(gè)形成的發(fā)射極層20、以及在或鄰近半導(dǎo)體襯底10的后表面形成的后表面場(chǎng)層30。而且,太陽能電池100還可包括在半導(dǎo)體襯底10的前表面上形成的防反射膜22和第一電極24(或者多個(gè)第一電極),并且可以包括在半導(dǎo)體襯底10的后表面上形成的鈍化膜32和第二電極34(或多個(gè)第二電極)。
半導(dǎo)體襯底10可以包括多種半導(dǎo)體材料。例如,半導(dǎo)體襯底10可以包括:具有第一導(dǎo)電類型摻雜劑的硅。對(duì)于硅,可以使用單晶硅或多晶硅。例如,該第一導(dǎo)電類型可以是n型。也就是說,半導(dǎo)體襯底10可以包括摻雜了諸如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)、銻(Sb)等的V族元素的單晶硅或多晶硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





