[發明專利]改善SONOS閃存器件可靠性的面內均一性的方法無效
| 申請號： | 201210300840.0 | 申請日： | 2012-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN103633030A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 劉繼全;孫勤 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月紅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 sonos 閃存 器件 可靠性 均一 方法 | ||
1.一種改善SONOS閃存器件可靠性的面內均一性的方法，其特征在于，包括步驟：
1）在硅襯底上，制備隧穿氧化層；
2）在隧穿氧化層上，制備氮化硅層；
3）利用RadOx氧化工藝，對氮化硅層進行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻擋層；
4）在氮氧化硅阻擋層上，制備氮化硅陷阱層；
5）利用RadOx氧化工藝，對氮化硅陷阱層進行部分氧化，形成頂層高含氧氮氧化硅阻擋層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，制備隧穿氧化層的工藝為RadOx氧化工藝，其中，工藝參數為H2:1slm～30slm，O2:1slm～100slm，反應溫度為900～1200℃，壓力為0～25torr；
所述隧穿氧化層的厚度為10?！?0埃。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，制備氮化硅層的方法為化學氣相淀積方法，氮化硅層的厚度為20?！?0埃
其中，該化學氣相淀積方法的工藝參數如下：
流量為NH3:30sccm～100sccm，SiH2Cl2:50sccm～120sccm，反應溫度為700～760℃，壓力為150～300mtorr。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）、5）中，RadOx氧化工藝中的工藝參數為H2:1slm～30slm，O2:1slm～100slm，反應溫度為900～1200℃，壓力為0～25torr。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，氮氧化硅阻擋層厚度為30?！?0埃；其中，該氮氧化硅阻擋層中的二次離子質譜儀的氧含量為1%～30%。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4）中，制備氮化硅陷阱層的方法為化學氣相淀積方法，氮化硅陷阱層的厚度為30?！?20埃；
其中，該化學氣相淀積方法的工藝參數如下：
流量為NH3:30sccm～100sccm，SiH2Cl2:50sccm～120sccm，反應溫度為700～760℃，壓力為150～300mtorr。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5）中，頂層高含氧氮氧化硅阻擋層的厚度為40埃～70埃；
其中，該頂層高含氧氮氧化硅阻擋層的二次離子質譜儀的氧含量為70%～95%。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
