[發(fā)明專(zhuān)利]電力半導(dǎo)體器件用電極

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210300644.3
• 申請(qǐng)日: 2012-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103633125A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安永電電氣有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/41
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/41;H01L29/417
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子器件的電極結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種電力半導(dǎo)體器件用電極。

背景技術(shù)

絕緣柵雙極性晶體管（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，IGBT）是逆變器等變流裝置中的重要電子器件，廣泛應(yīng)用在高鐵、地鐵、城市軌道交通、風(fēng)電、太陽(yáng)能、清潔能源等領(lǐng)域。

目前，IGBT中作為電信號(hào)輸出或輸入端子的電極，通常采用直條狀結(jié)構(gòu)，具體地，如圖1所示，現(xiàn)有IGBT的電極100為折彎結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)體，下折彎部101是插在IGBT本體內(nèi)，上折彎部102露出IGBT本體，作為IGBT的信號(hào)輸入或輸出端子，上折彎部102為直條結(jié)構(gòu)。由于IGBT通常在較大的電流下工作，電極100上電流流過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較大的電磁場(chǎng)，從而會(huì)對(duì)相鄰的部件產(chǎn)生電磁干擾，影響相鄰部件以及整個(gè)變流裝置的正常工作，特別是在模塊化結(jié)構(gòu)的變流裝置中，IGBT的電極上產(chǎn)生的較大磁場(chǎng)會(huì)對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路板和配置板產(chǎn)生較大的電磁干擾，進(jìn)而影響整個(gè)變流裝置工作的穩(wěn)定性和可靠性。

綜上，現(xiàn)有IGBT器件中，電極通常采用直條狀結(jié)構(gòu)，電極有電流流過(guò)時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電磁場(chǎng)，產(chǎn)生電磁干擾，影響其他部件的正常工作。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種電力半導(dǎo)體器件用電極，可減少電極產(chǎn)生的電磁干擾。

本發(fā)明提供一種電力半導(dǎo)體器件用電極，包括：

金屬電極，所述金屬電極上開(kāi)設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)，使流經(jīng)所述金屬電極的電流在所述凹槽結(jié)構(gòu)處的電流方向產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)。

本發(fā)明提供的電力半導(dǎo)體器件用電極，通過(guò)在金屬電極上設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)，使得流經(jīng)金屬電極上的電流會(huì)產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)，則電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)就會(huì)在電極表面相互抵消，從而可減小整個(gè)金屬電極所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度，可應(yīng)用于具有較大工作電流的電子器件中，可減少對(duì)其相鄰器件等周?chē)h(huán)境的電磁干擾。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有IGBT器件上的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的主視圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的俯視圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的主視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電力半導(dǎo)體器件用電極的俯視圖。如圖2-圖4所示，本實(shí)施例電極包括金屬電極1，金屬電極1上開(kāi)設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)2，使流經(jīng)金屬電極1的電流在凹槽結(jié)構(gòu)2處的電流方向產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)，這樣在凹槽結(jié)構(gòu)2處電流形成的電磁場(chǎng)就會(huì)相互抵消，從而可減少整個(gè)金屬電極1上產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的強(qiáng)度。

本實(shí)施例中，上述的金屬電極1具體為折彎結(jié)構(gòu)的金屬電極，包括第一折彎部11和第二折彎部12，凹槽結(jié)構(gòu)2設(shè)置在第一折彎部11上。本實(shí)施例金屬電極1的第一折彎部11可插在電子器件，例如IGBT內(nèi)部，與電力半導(dǎo)體器件中的電路結(jié)構(gòu)電連接，第二折彎部12露出，作為電力半導(dǎo)體器件的輸入或輸出端子。

本實(shí)施例中，上述的凹槽結(jié)構(gòu)2具體可包括至少2個(gè)凹槽，且該至少2個(gè)凹槽交錯(cuò)設(shè)置在金屬電極1的兩側(cè)，以使得流經(jīng)相鄰兩個(gè)凹槽之間的電流方向會(huì)產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)。具體地，如圖2所示，本實(shí)施例金屬電極1的第一彎折部11上設(shè)置有2個(gè)凹槽21，交錯(cuò)設(shè)置在第一彎折部11的兩側(cè)，且該兩個(gè)凹槽21形成S型凹槽結(jié)構(gòu)，這樣，電流流經(jīng)該2個(gè)S型凹槽結(jié)構(gòu)時(shí)，電流的流向也呈S形的彎轉(zhuǎn)流向，因此電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)就會(huì)相互抵消，從而可減小整個(gè)金屬電極1產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

本實(shí)施例中，上述的凹槽21為矩形凹槽，且矩形凹槽的邊緣處具有小的倒角，以便于電流的流通，且矩形凹槽便于加工和制作，實(shí)際應(yīng)用中，該凹槽也可以為鋸齒形凹槽，即在金屬電極1的兩側(cè)可分別形成鋸齒形的凹槽結(jié)構(gòu)。實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)需要設(shè)置合適形狀的凹槽結(jié)構(gòu)，只要可以在金屬電極上產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)的電流流向，抵消電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)即可。

綜上，本實(shí)施例提供的電極，通過(guò)在金屬電極上設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)，使得流經(jīng)金屬電極上的電流會(huì)產(chǎn)生彎轉(zhuǎn)，則電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)就會(huì)在電極表面相互抵消，從而可減小整個(gè)金屬電極所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度，可應(yīng)用于具有較大工作電流的電子器件中，可減少對(duì)其相鄰器件等周?chē)h(huán)境的電磁干擾。