[發明專利]氮化鎵發光二極管的快速熱退火

有效

• 申請號: 201210300599.1
• 申請日: 2012-08-22
• 公開（公告）號: CN102956476A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 王耘;A·M·霍利魯克
• 申請（專利權）人: 超科技公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L33/00;H01L33/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 蔣世迅

1.一種形成氮化鎵發光二極管的方法，包括：

形成氮化鎵多層結構在基板上，該氮化鎵多層結構具有n型氮化鎵層與p型氮化鎵層，該n型氮化鎵層與該p型氮化鎵層之間夾入激活層；

對該p型氮化鎵層執行快速熱退火，其中該快速熱退火具有約10秒或更短的持續時間；

在該氮化鎵多層結構上形成透明導電層；及

添加p型接觸至該透明導電層，且添加n型接觸至該n型氮化鎵層。

2.如權利要求1的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括對該透明導電層執行該快速熱退火。

3.如權利要求1或2的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括對該p型接觸執行該快速熱退火。

4.如權利要求3的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該p型接觸具有p型接觸電阻，而所述對該p型接觸執行快速熱退火導致p型接觸電阻在從約4x10^-4ohm-cm²至約1x10^-6ohm-cm²的范圍中。

5.如權利要求3的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括對該n型接觸執行快速熱退火。

6.如權利要求5的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括：

形成凸緣在該氮化鎵多層結構及該透明導電層中，以暴露該n型氮化鎵層；及

形成該n型接觸在該暴露的n型氮化鎵層上。

7.如權利要求1的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該快速熱退火具有最大退火溫度T_AM，它是在約700°C至約1500°C的范圍中。

8.如權利要求7的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該快速熱退火利用激光器或閃光燈。

9.如權利要求8的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該快速熱退火是利用閃光燈來執行，該閃光燈對整個該p型氮化鎵層照射單一道閃光。

10.如權利要求1的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該p型氮化鎵層被執行該快速熱退火后，具有從約5x10¹⁷cm^-3至約5x10¹⁹cm^-3范圍中的被激活的摻雜物濃度。

11.如權利要求1的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括形成該激活層以包括多重量子阱結構。

12.一種形成氮化鎵發光二極管的方法，包括：

形成氮化鎵多層結構，該氮化鎵多層結構具有n型氮化鎵層與p型氮化鎵層，該n型氮化鎵層與該p型氮化鎵層之間夾入激活層；

形成p型接觸層，鄰接于該p型氮化鎵層；

形成n型接觸在該n型氮化鎵層上；及

對該n型接觸執行快速熱退火，其中該快速熱退火具有約10秒或更短的持續時間。

13.如權利要求12的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該快速激光退火的執行是使用激光器或閃光燈。

14.如權利要求13的形成氮化鎵發光二極管的方法，其中該n型接觸具有n型接觸電阻，并且所述對該n型接觸執行快速熱退火導致該n型接觸電阻在從約1x10^-4ohm-cm²至約1x10^-6ohm-cm²的范圍中。

15.如權利要求12的形成氮化鎵發光二極管的方法，還包括進行該快速熱退火，該快速熱退火具有最大退火溫度T_AM，它是在從約700°C至約1500°C的范圍中。