[發明專利]一種生長GaN基LED的硅圖形襯底及其制備方法

有效

• 申請號: 201210300173.6
• 申請日: 2012-08-22
• 公開（公告）號: CN102810612A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 李述體;易翰祥;王幸福
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 江裕強

1.一種生長GaN基LED的硅圖形襯底，其特征在于所述硅圖形襯底的硅（111）面襯底上刻蝕有周期性排列的矩形區域，每個矩形區域覆蓋一層SiO₂掩膜，且在每個矩形區域的該層SiO₂掩膜中心光刻有Si表面圖形。

2.根據權利要求1所述生長GaN基LED的硅圖形襯底，其特征在于所述矩形圖形尺寸為100μm×100μm～5000μm×5000μm；矩形區域之間的間隔為10μm～15μm，間隔深度為5μm～20μm。

3.根據權利要求1所述生長GaN基LED的硅圖形襯底，其特征在于單個所述Si表面圖形尺寸為10μm×10μm～300μm×300μm。

4.權利要求1所述生長GaN基LED的硅圖形襯底的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）蒸鍍二氧化硅掩模層：在硅（111）襯底上蒸鍍一層50nm～300nm二氧化硅掩模層；

（2）清洗：使用丙酮溶液對經步驟（1）處理的硅片進行超聲3~5分鐘，清洗后使用異丙醇超聲3~5分鐘，再用去離子水漂洗，最后用氮氣吹干后烘干；

（3）光刻：在經步驟（2）處理的硅片上光刻出周期排列的矩形圖案；?

（4）濕法刻蝕：經步驟（3）處理得到的襯底放進腐蝕液中腐蝕10~30秒鐘，腐蝕出尺寸為100μm×100μm～5000μm×5000μm的矩形圖案，矩形圖形之間的間隔為10μm～15μm，間隔深度為5μm～20μm，取出襯底，用去離子水清洗干凈；

（5）光刻：在經步驟（4）處理得到的矩形圖案的SiO₂掩膜中心刻出Si表面，Si表面尺寸為10μm×10μm～300μm×300μm；

（6）清洗：將步驟（5）得到的襯底置進行清洗去除殘留的腐蝕液即得所述硅圖形襯底。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟（4）所述腐蝕液是硝酸與氫氟酸的水溶液，硝酸、氫氟酸、水的質量比例為45：15：15。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟（6）所述清洗是在清洗機內用去離子水清洗5分鐘。