[發(fā)明專利]一種在線檢測接觸孔的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210299848.X | 申請日: | 2012-08-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102832152A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李健;杜哲;牟亮偉 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 馬曉亞 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 在線 檢測 接觸 方法 | ||
1.一種在線檢測接觸孔的方法,所述方法包括:
進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)接觸孔刻蝕;
確定晶圓檢測區(qū)域,所述檢測區(qū)域?yàn)榭赡艹霈F(xiàn)接觸孔形狀異常缺陷的區(qū)域;
關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)對(duì)所述檢測區(qū)域中的接觸孔俯視圖像的內(nèi)圈直徑進(jìn)行測量;
如果測量得到的內(nèi)圈直徑不在預(yù)設(shè)范圍內(nèi),則CD-SEM提示存在接觸孔形狀異常缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,所述內(nèi)圈直徑為所述接觸孔底部邊緣輪廓的直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,所述測量得到的內(nèi)圈直徑不在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)為所述內(nèi)圈直徑小于預(yù)設(shè)閾值。
4.如權(quán)利要求1所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,所述測量得到的內(nèi)圈直徑不在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)為所述內(nèi)圈直徑小于下限閾值或大于上限閾值。
5.如權(quán)利要求1所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,所述檢測區(qū)域?yàn)槿姹欢嗑Ч璋鼑膮^(qū)域。
6.如權(quán)利要求1所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,所述方法還包括在測量得到的內(nèi)圈直徑不在預(yù)設(shè)閾值范圍內(nèi)時(shí),CD-SEM輸出一個(gè)控制信號(hào)控制刻蝕設(shè)備停止進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)接觸孔刻蝕。
7.如權(quán)利要求3所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,對(duì)于0.13微米閃存產(chǎn)品的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔刻蝕工藝,所述預(yù)設(shè)閾值為60納米。
8.如權(quán)利要求4所述的在線檢測接觸孔的方法,其特征在于,對(duì)于0.13微米閃存產(chǎn)品的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔刻蝕工藝,所述上限閾值為180納米,所述下限閾值為60納米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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