[發(fā)明專利]電子部件用層疊配線膜和被覆層形成用濺射靶材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210299543.9
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN102953036A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 村田英夫
• 申請（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14;C22C27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;趙曦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種要求耐濕性、耐氧化性的電子部件用層疊配線膜和用于形成覆蓋該層疊配線膜的主導(dǎo)電層的一面和/或另一面的被覆層的被覆層形成用濺射靶材。

背景技術(shù)

在玻璃基板上形成薄膜裝置的液晶顯示器（以下稱為LCD）、等離子體顯示面板（以下稱為PDP）、電子紙張等所利用的電泳型顯示器等平面顯示裝置（平板顯示器，以下稱為FPD）、以及各種半導(dǎo)體裝置、薄膜傳感器、磁頭等薄膜電子部件中，需要低電阻的配線膜。例如，伴隨LCD、PDP、有機EL顯示器等FPD的大畫面、高精細、高速響應(yīng)化，對其配線膜要求低電阻化。并且近年來正在開發(fā)對FPD賦予操作性的觸摸面板、使用了樹脂基板的柔性FPD等新產(chǎn)品。

近年來，對于作為FPD的驅(qū)動元件而正在使用的薄膜晶體管（TFT）的配線膜要求低電阻化，進行了使用比Al具有更低電阻的Cu作為主配線材料的研究。另外，在觀看FPD的畫面的同時賦予直接的操作性的觸摸面板基板畫面也在不斷大型化，為實現(xiàn)低電阻化，正在進行將Cu用作主配線材料的研究。

現(xiàn)在，在TFT中使用Si半導(dǎo)體膜，如果Cu與Si直接接觸，則由于TFT制造中的加熱工序而進行熱擴散，使TFT的特性劣化。因此，使用在Cu和Si之間以耐熱性優(yōu)異的Mo、Mo合金作為阻隔膜的層疊配線膜。

另外，在與TFT連接的像素電極、便攜式終端、平板電腦等所使用的觸摸面板的位置檢測電極中，一般使用作為透明導(dǎo)電膜的銦-錫氧化物（以下稱為ITO）。Cu能獲得與ITO的接觸性，但與基板的密合性低，因此為確保密合性，需要用Mo、Mo合金被覆Cu而成的層疊配線膜。

并且，進行了使用比現(xiàn)有的非晶質(zhì)Si半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)更高速響應(yīng)的氧化物的透明半導(dǎo)體膜的應(yīng)用研究，對于這些氧化物半導(dǎo)體的配線膜，也研究了使用了Cu和純Mo的層疊配線膜。

本申請人提出了通過將與玻璃等的密合性低的Cu、Ag和作為Mo主體含有V和/或Nb的Mo合金進行層疊，從而能夠維持Cu、Ag具有的低電阻值，同時改善耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性。（例如，參照專利文獻1）。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開2004－140319號公報

發(fā)明內(nèi)容

上述專利文獻1中提出的Mo-V、Mo-Nb合金等，與純Mo相比耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性更優(yōu)異，因此廣泛用于在玻璃基板上形成的FPD用途。

但是，在制造FPD時，在基板上形成層疊配線膜后，移動到下一工序時，有時長時間放置在大氣中。另外，在為提高便利性而使用了樹脂膜的輕型、柔性FPD等中，樹脂膜與現(xiàn)有的玻璃基板等比較，具有透濕性，因此對于層疊配線膜要求高耐濕性。

并且，在FPD的端子部等安裝信號線電纜時，有時在大氣中加熱，因此對于層疊配線膜也要求耐氧化性的提高。而且，在使用氧化物的半導(dǎo)體膜中，為實現(xiàn)特性提高、穩(wěn)定化，在含有氧的環(huán)境下、在形成含有氧的保護膜后有時進行350℃以上的高溫下的加熱處理。因此，為了使層疊配線膜即使在經(jīng)過這些加熱處理后也能夠維持穩(wěn)定的特性，增強耐氧化性的要求日益提高。

根據(jù)本發(fā)明人的研究，Cu與Al相比，密合性、耐濕性、耐氧化性很差，因此有時需要形成用于確保密合性的基底膜、成為保護Cu表面的上層膜（罩膜）的被覆層。對于上述Mo-V，Mo-Nb合金等、純Mo而言，耐濕性、耐氧化性并不充分，在FPD的制造工序中形成Cu的被覆層時，有時會產(chǎn)生變色并且氧透過、Cu的電阻值大幅增加的問題。另外，如果被覆層變色，則使電接觸性劣化，導(dǎo)致電子部件的可靠性降低。

并且，為實現(xiàn)FPD的大畫面化、高速驅(qū)動，TFT制造工序中的加熱溫度有上升的趨勢。因此，在形成了作為主導(dǎo)電層的Cu和作為阻隔膜、密合膜的被覆層的層疊配線膜中，有時構(gòu)成被覆層原子向Cu進行熱擴散，不能維持低電阻值。這樣，對于將Cu作為主導(dǎo)電層的層疊配線膜的被覆層，要求能夠適用于新的各種環(huán)境的高耐濕性、耐氧化性和維持低電阻值。

本發(fā)明的目的在于，提供一種使用了由Mo合金構(gòu)成的被覆層的電子部件用層疊配線膜和用于形成被覆層的濺射靶材，其能夠改善耐濕性、耐氧化性，進而在與低電阻的作為主導(dǎo)電層的Cu層疊時，即使經(jīng)過加熱工序也能夠維持低的電阻值。

本發(fā)明人鑒于上述課題，致力于向Mo中新添加的元素的最優(yōu)化。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過在Mo中復(fù)合添加特定量的Ni和Ti，能夠提高耐濕性、耐氧化性，并且在形成作為主導(dǎo)電層的Cu的被覆層時，即使經(jīng)過加熱工序也能維持低電阻值，從而完成本發(fā)明。