[發(fā)明專利]一種具有底部隔離電荷補償結(jié)構半導體晶片及其制備方法

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• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN103633137A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 朱江
• 申請（專利權）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有底部隔離電荷補償結(jié)構半導體晶片，其特征在于：包括：

襯底層，為半導體材料；

漂移層，為第一導電類型半導體材料，位于襯底層之上；多個

溝槽，位于漂移層中，溝槽內(nèi)下部內(nèi)壁表面設置有絕緣材料層，溝槽內(nèi)下部填充多晶第二導電類型半導體材料，溝槽內(nèi)上部填充第二導電類型半導體材料。?

2.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的襯底層雜質(zhì)摻雜濃度大于等于1E17cm^-3。

3.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的漂移層第一導電類型半導體材料雜質(zhì)摻雜濃度小于等于1E17cm^-3。

4.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)第二導電類型半導體材料雜質(zhì)摻雜濃度小于等于1E17cm^-3。

5.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的溝槽的高寬比大于等于5。

6.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)上部的第二導電類型半導體材料，可以為單晶第二導電類型半導體材料，也可以為多晶第二導電類型半導體材料。

7.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的溝槽底部可以位于襯底層中。

8.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的絕緣材料可以為二氧化硅。

9.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的半導體晶片可應用制造功率MOS半導體器件。

10.如權利要求1所述的一種具有底部隔離電荷補償結(jié)構半導體晶片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1）在襯底層表面形成第一導電類型半導體材料外延層；

2）在外延層中形成多個溝槽；

3）在溝槽內(nèi)壁形成絕緣材料層，在溝槽內(nèi)淀積多晶第二導電類型半導體材料，然后反刻蝕多晶第二導電類型半導體材料和絕緣材料；

4）在溝槽內(nèi)上部形成第二導電類型半導體材料，對表面進行平整化處理。