[發明專利]一種類單晶晶體硅錠的制作方法和多晶硅鑄錠爐

無效

• 申請號: 201210298512.1
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN103628126A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鄭志東;王朋;翟蕊;李娟
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06;C30B28/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種類單晶晶體硅錠的制作方法，其特征在于，包括：

對鋪設在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態；

在類單晶生長時，控制所述容器內的熱場，使所述籽晶層內的籽晶間拼縫處溫度高于籽晶區域的溫度。

2.一種多晶硅鑄錠爐，用于類單晶晶體硅錠的制作，包括用于支撐籽晶和硅料的承載容器的底板，其特征在于，所述底板表面與籽晶間拼縫對應的位置處的熱導率低于其他位置處的熱導率。

3.根據權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板包括：

底板主體和控溫部件，所述控溫部件與籽晶間拼縫位置相對應，且所述控溫部件的熱導率低于底板主體的熱導率。

4.根據權利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體的熱導率為10W/(m·K)~1000W/(m·K)。

5.根據權利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件的熱導率為0.01W/(m·K)~50W/(m·K)。

6.根據權利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件圍成多個尺寸相同的矩形，且所述矩形以陣列方式排布在所述底板主體上。

7.根據權利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體為一平板結構。

8.根據權利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體表面設置有凹槽。

9.根據權利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述凹槽的深度為1mm~30mm，所述凹槽的寬度為2mm~80mm。

10.根據權利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件設置在所述凹槽內，且所述溫控部件填滿所述凹槽。

11.根據權利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件直接貼合在所述底板主體表面上。

12.根據權利要求11所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件的厚度為1mm~20mm，所述溫控部件的寬度為2mm~80mm。

13.根據權利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體內設置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體。

14.根據權利要求13所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件設置在所述通透槽內。

15.根據權利要求2~14任意一項所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，還包括：

保溫板，所述保溫板圍成一保溫腔；

冷卻銅板，所述冷卻銅板位于保溫腔的底部；

底部加熱器，所述底部加熱器位于冷卻銅板上方；

熱交換臺，所述熱交換臺位于所述底部加熱器的上方，且所述熱交換臺上方設置有底板；

硅料盛載容器，所述硅料盛載容器用于盛放硅料和籽晶，所述硅料盛載容器外圍設置有防護板，且所述硅料盛載容器和防護板位于底板上方；

頂部加熱器，所述頂部加熱器位于保溫腔的頂部。