[發(fā)明專利]準(zhǔn)單晶硅片清洗方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210298418.6
• 申請(qǐng)日: 2012-08-21
• 公開（公告）號(hào): CN102806216A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石開明;孫志剛;劉茂華;韓子強(qiáng);石堅(jiān);吳繼賢;章建海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安陽市鳳凰光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): B08B3/12
• 分類號(hào): B08B3/12;B08B3/08
• 代理公司: 安陽市智浩專利代理事務(wù)所 41116
• 代理人: 王好勤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域，尤其是準(zhǔn)單晶硅片的清洗方法。

背景技術(shù)

在目前行業(yè)技術(shù)條件下，高效太陽能電池對(duì)硅片的表面質(zhì)量有著極高的要求，除了對(duì)硅片有嚴(yán)格的尺寸要求外，表面質(zhì)量包括TTV、SM、表面重金屬含量等都是主要的質(zhì)量指標(biāo)。硅片在切割完成后，必須進(jìn)行有效的清洗，以清除切割過程中由于砂漿和鋼線及其他接觸物對(duì)硅片造成的污染，如有機(jī)雜質(zhì)沾污、顆粒沾污、金屬離子沾污等，最終滿足電池客戶端的要求。

準(zhǔn)單晶作為行業(yè)內(nèi)一項(xiàng)新開發(fā)的鑄錠單晶技術(shù)，晶體結(jié)構(gòu)介于單晶和多晶之間，其生產(chǎn)工藝較其他光伏產(chǎn)品相比還處于摸索研究階段，并不十分成熟。為確保準(zhǔn)單晶硅片在量產(chǎn)階段其硅片表面質(zhì)量得到有效保證，我們開發(fā)了一種新型的準(zhǔn)單晶硅片清洗工藝，此工藝在原有的清洗機(jī)上進(jìn)行改進(jìn)，在有效利用現(xiàn)有硅片清洗設(shè)備的情況下，有效解決了準(zhǔn)單晶硅片在清洗過程中遇到的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種新型的準(zhǔn)單晶硅片清洗方法，它可有效解決硅片制造行業(yè)準(zhǔn)單晶在清洗環(huán)節(jié)遇到的問題，為確保準(zhǔn)單晶硅片在量產(chǎn)階段其硅片表面質(zhì)量提供有效保障。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：在原有的7槽清洗機(jī)上進(jìn)行改進(jìn)，在有效利用現(xiàn)有硅片清洗設(shè)備的情況下，對(duì)7槽清洗機(jī)各槽位加液情況、溫度、溢流狀態(tài)等清洗條件進(jìn)行實(shí)驗(yàn)調(diào)整。

具體是：

準(zhǔn)單晶硅片清洗方法，其特征在于：清洗機(jī)設(shè)置7個(gè)槽位，1槽處于開狀態(tài)，2－4槽處于關(guān)狀態(tài)，5－7槽處于開狀態(tài)；其中，1－6槽使用超聲波，超聲波的頻率為20－30kHz，功率為1800－2500W；在2－4槽加入清洗劑，所述清洗劑是行業(yè)通用的硅片清洗劑，其余槽使用純水；純水溢流每槽的清洗時(shí)間為300－720秒。

進(jìn)一步：

所述清洗劑是行業(yè)通用的硅片清洗劑，常州君合達(dá)克羅涂覆工程技術(shù)有限公司生產(chǎn)的JH－15、16、18型硅片清洗劑；昆山思達(dá)嘉化工有限公司生產(chǎn)的思達(dá)嘉?SDJ硅片清洗劑；上海名昂新材料科技有限公司生產(chǎn)的硅片清洗劑A、B之一種。

所述2－4槽清洗劑的分布是：3－4槽內(nèi)清洗劑的濃度為2槽內(nèi)清洗劑濃度的140－170%。其中2槽內(nèi)清洗劑根據(jù)具體清洗劑不同，可以選擇為正常濃度，也可以選擇為低于或高于正常濃度。

所述2－4槽加入清洗劑，清洗劑的濃度為3－7%；具體分布可以是：所述2－4槽清洗劑的分布是：2槽內(nèi)清洗劑的濃度為3－5%，3－4槽內(nèi)清洗劑的濃度為5－7%。

所述3－4槽還加有堿，其體積濃度或重量濃度為30－40%；所述堿指氫氧化鉀或氫氧化鈉。

所述純水是指去離子純水，電阻率10兆歐姆·米－18兆歐姆·米。

所述1槽采用常溫，2－7槽控制于50－70℃；具體分布是：所述1槽采用常溫，2－5槽控制于50－65℃，6槽控制于55－60℃，7槽控制于60－70℃。

本發(fā)明具有以下有益效果：經(jīng)反復(fù)實(shí)踐表明，采用本發(fā)明提供的方法，可有效清除切割過程中由于砂漿和鋼線及其他接觸物對(duì)準(zhǔn)單晶硅片造成的污染，如有機(jī)雜質(zhì)沾污、顆粒沾污、金屬離子沾污等，最終滿足電池客戶端的要求，確保準(zhǔn)單晶硅片在量產(chǎn)階段其硅片表面質(zhì)量得到有效保證。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，并使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例：

清洗機(jī)設(shè)置7個(gè)槽位，1槽處于開狀態(tài)，2－4槽處于關(guān)狀態(tài)，5－7槽處于開狀態(tài)；（開是指清洗槽處于工作狀態(tài)，關(guān)狀態(tài)指清洗槽處于停止?fàn)顟B(tài)）其中，1－6槽使用超聲波，7槽不使用，超聲波的頻率為20－30kHz，功率為1800W；在2－4槽加入清洗劑，其余槽使用純水，純水溢流每槽的清洗時(shí)間為300－720秒。

所述的清洗劑指行業(yè)通用的硅片清洗劑，如常州君合達(dá)克羅涂覆工程技術(shù)有限公司生產(chǎn)的JH－15、16、18型硅片清洗劑；昆山思達(dá)嘉化工有限公司生產(chǎn)的思達(dá)嘉?SDJ硅片清洗劑；上海名昂新材料科技有限公司生產(chǎn)的硅片清洗劑A、B等。

本實(shí)施例以常州君合達(dá)克羅涂覆工程技術(shù)有限公司JH-16型硅片清洗劑為例，其主要由鉀鹽、緩蝕劑、絡(luò)合劑、助洗劑及表面活性劑聚合復(fù)配而成。2槽清洗劑濃度為4%，3槽、4槽清洗劑濃度為6%。

在3－4槽加入堿，其余槽不加，堿指氫氧化鉀，加入堿后，其體積濃度或重量濃度為36%。（堿也可以是氫氧化鈉，加入量與氫氧化鉀相同）

1槽采用常溫，2－5槽控制于50－65℃，6槽控制于55－60℃，7槽控制于60－70℃。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。