[發(fā)明專利]一種極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210298122.4
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN102810553A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡盛東;張玲;甘平;周喜川;周建林;劉海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件，包括襯底P型硅層、有源頂層硅和槽型場氧，其特征在于：所述有源頂層硅包括縱向溝道、N-漂移區(qū)、P型硅區(qū)，以及埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區(qū)，所述縱向溝道設(shè)置于N-漂移區(qū)上方，所述N-漂移區(qū)與P型硅區(qū)接觸，所述P型硅區(qū)與槽型場氧接觸，所述N-漂移區(qū)、P型硅區(qū)接觸和槽型場氧分別與埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區(qū)接觸。

2.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件?，其特征在于：所述有源頂層硅還設(shè)置有N⁺源區(qū)、P⁺源區(qū)和P阱，所述P+源區(qū)和P阱直接接觸于槽型場氧，所述N⁺源區(qū)與P⁺源區(qū)接觸，所述N⁺源區(qū)和P⁺源區(qū)分別與P阱接觸，所述P阱分別與N-漂移區(qū)、P型硅區(qū)接觸，所述N⁺源區(qū)和P阱分別與縱向溝道接觸，所述P型硅區(qū)介于N-漂移區(qū)和槽型場氧之間，所述N⁺漏區(qū)上方設(shè)置有漏電極，所述P阱設(shè)置有槽型柵氧化層和柵電極，槽型柵氧化層和柵電極垂直于P阱并與P阱接觸，所述N⁺源區(qū)和P⁺源區(qū)設(shè)置于P阱區(qū)域內(nèi)上方，所述N⁺源區(qū)和P⁺源區(qū)上方設(shè)置有源電極。

3.??根據(jù)權(quán)利要求2所述的極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：所述有源頂層硅為Si、SiC、GaN半導(dǎo)體材料中的一種或多種。

4.??根據(jù)權(quán)利要求3所述的極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：還包括SOI襯底埋氧層，所述SOI襯底埋氧層設(shè)置于埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區(qū)和襯底P型硅層之間。

5.??根據(jù)權(quán)利要求4所述的極低導(dǎo)通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：所述SOI襯底埋氧層還設(shè)置有半導(dǎo)體窗口。