[發明專利]一種極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件有效
| 申請號： | 201210298122.4 | 申請日： | 2012-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN102810553A | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 胡盛東;張玲;甘平;周喜川;周建林;劉海濤 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400044 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 極低導 通電 槽型場氧 功率 mos 器件 | ||
1.一種極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件，包括襯底P型硅層、有源頂層硅和槽型場氧，其特征在于：所述有源頂層硅包括縱向溝道、N-漂移區、P型硅區，以及埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區，所述縱向溝道設置于N-漂移區上方，所述N-漂移區與P型硅區接觸，所述P型硅區與槽型場氧接觸，所述N-漂移區、P型硅區接觸和槽型場氧分別與埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區接觸。
2.??根據權利要求1所述的極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件?，其特征在于：所述有源頂層硅還設置有N+源區、P+源區和P阱，所述P+源區和P阱直接接觸于槽型場氧，所述N+源區與P+源區接觸，所述N+源區和P+源區分別與P阱接觸，所述P阱分別與N-漂移區、P型硅區接觸，所述N+源區和P阱分別與縱向溝道接觸，所述P型硅區介于N-漂移區和槽型場氧之間，所述N+漏區上方設置有漏電極，所述P阱設置有槽型柵氧化層和柵電極，槽型柵氧化層和柵電極垂直于P阱并與P阱接觸，所述N+源區和P+源區設置于P阱區域內上方，所述N+源區和P+源區上方設置有源電極。
3.??根據權利要求2所述的極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：所述有源頂層硅為Si、SiC、GaN半導體材料中的一種或多種。
4.??根據權利要求3所述的極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：還包括SOI襯底埋氧層，所述SOI襯底埋氧層設置于埋于整個襯底P型硅層表面的N+漏區和襯底P型硅層之間。
5.??根據權利要求4所述的極低導通電阻的槽型場氧功率MOS器件，其特征在于：所述SOI襯底埋氧層還設置有半導體窗口。
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