[發明專利]磁圖像傳感器及鑒偽方法

在審

• 申請號: 201210297794.3
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN103632431A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 時啟猛;彭春雷;曲炳郡
• 申請（專利權）人: 北京嘉岳同樂極電子有限公司
• 主分類號: G07D7/20
• 分類號: G07D7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種磁圖像傳感器，包括磁傳感器芯片，其特征在于，所述磁傳感器芯片包括第一磁敏感單元點陣和第二磁敏感單元點陣，所述第一磁敏感單元點陣和所述第二磁敏感單元點陣之間的夾角θ為0＜θ＜180°，所述第一磁敏感單元點陣和所述第二磁敏感單元點陣分別包括N個和M個磁敏感單元，所述磁敏感單元是由磁敏感薄膜制作的惠斯通電橋電路，其中，N、M為≥1的整數。

2.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述第一磁敏感單元點陣包括n×m個所述磁敏感單元，而且，所述磁敏感單元橫向設置，m、n為≥1的整數；

所述第二磁敏感單元點陣包括a×b個所述磁敏感單元，而且，所述磁敏感單元縱向設置，a、b為≥1的整數。

3.根據權利要求2所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述磁敏感單元包括至少一對相互平行且釘扎方向相反的磁敏感薄膜，而且所述磁敏感單元的間距為兩個所述磁敏感薄膜之間的距離，所述磁敏感單元的對稱中心為兩個所述磁敏感薄膜在其長度方向上的對稱中心。

4.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述第一磁敏感單元點陣中的n×m個所述磁敏感單元的間距相等；所述第二磁敏感單元點陣中的a×b個所述磁敏感單元的間距相等。

5.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述第一磁敏感單元點陣中的n×m個所述磁敏感單元的間距不完全相等；在所述第二磁敏感單元點陣中的a×b個所述磁敏感單元的間距不完全相等。

6.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述第一磁敏感單元點陣中的n×m個所述磁敏感單元的間距相等；所述第二磁敏感單元點陣中的a×b個所述磁敏感單元的間距不相等；或者，

所述第一磁敏感單元點陣中的n×m個所述磁敏感單元的間距不相等；所述第二磁敏感單元點陣中的a×b個所述磁敏感單元的間距相等。

7.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元點陣中，每行磁敏感單元中的各所述磁敏感單元的對稱中心在同一直線上。

8.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元點陣中，每行磁敏感單元中的各所述磁敏感單元的對稱中心不完全在同一直線上。

9.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第二磁敏感單元點陣中，每列磁敏感單元中的各所述磁敏感單元的對稱中心在同一直線上。

10.根據權利要求3所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第二磁敏感單元點陣中，每列磁敏感單元中的各所述磁敏感單元的對稱中心不完全在同一直線上。

11.根據權利要求2所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元點陣中，m列所述磁敏感單元在所述磁傳感器芯片的橫向方向上不存在間隙，以將所述磁傳感器芯片的橫向完全覆蓋；

在所述第二磁敏感單元點陣中，a行所述磁敏感單元將所述磁傳感器芯片的縱向方向上不存在間隙，以將所述磁傳感器芯片的縱向完全覆蓋。

12.根據權利要求2所述的磁圖像傳感器，其特征在于，在所述第一磁敏感單元點陣中，m列所述磁敏感單元在所述磁傳感器芯片的橫向方向上存在間隙；

在所述第二磁敏感單元點陣中，a行所述磁敏感單元在所述磁傳感器芯片的縱向方向上存在間隙。

13.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述惠斯通電橋電路為惠斯通半橋電路，或者，所述惠斯通電橋電路為惠斯通全橋電路，每個所述惠斯通電橋電路設有一個差分輸出通道。

14.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜為連續不間斷的薄膜。

15.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜包括多段薄膜段，所述薄膜段由導體串聯。

16.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜為直線型薄膜或者彎曲的蛇形薄膜。

17.根據權利要求1所述的磁圖像傳感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜為霍爾效應薄膜、各向異性磁電阻薄膜、巨磁電阻薄膜、隧道磁電阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍爾效應薄膜。