[發(fā)明專利]帶雙層保護(hù)膜的太陽(yáng)能組件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210297552.4
• 申請(qǐng)日: 2012-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN103633156A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金劉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇格林保爾光伏有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種帶雙層保護(hù)膜的太陽(yáng)能組件。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能電池組件，也叫太陽(yáng)能電池板，是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽(yáng)能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽(yáng)能電池作為綠色能源，越來(lái)越受到人們的關(guān)注。晶體硅材料質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)電池的效率起至關(guān)重要的作用，晶體硅基體材料表面缺陷密度很高，如大量的懸掛鍵、雜質(zhì)和斷鍵等，導(dǎo)致硅片表面少子壽命大大降低，復(fù)合速率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種轉(zhuǎn)換效率高的帶雙層保護(hù)膜的太陽(yáng)能組件。

實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是：一種帶雙層保護(hù)膜的太陽(yáng)能組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；還具有減反射膜層和鈍化膜層；所述減反射膜層設(shè)置在負(fù)極層和N型硅層之間；所述鈍化膜層設(shè)置在減反射膜層和N型硅層之間。

上述技術(shù)方案所述減反射膜層為氮化硅層。

上述技術(shù)方案所述鈍化膜層為二氧化硅層。

上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和正電極均為銀層。

上述技術(shù)方案所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。

上述技術(shù)方案所述正極層上具有背電極和背電場(chǎng)。

采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有以下積極的效果：

（1）本發(fā)明采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽(yáng)能組件的減反射膜層,?主要作用是減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時(shí)，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽(yáng)能電池表面的反射損失，大大提高太陽(yáng)能組件吸收陽(yáng)光的量，并能讓這些太陽(yáng)能組件可以吸收來(lái)自各個(gè)角度的全部陽(yáng)光光譜，從而使太陽(yáng)能電站的經(jīng)濟(jì)效益大為改善。

（2）本發(fā)明應(yīng)用銀漿料制作電極和背電場(chǎng)，優(yōu)化圖形設(shè)計(jì)，不僅確保了電極良好的導(dǎo)電性、可焊性以及背電場(chǎng)的平整性，更具有優(yōu)異的印刷性能、附著力高、彎曲度低和轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中1.負(fù)極層，11.主柵，12.副柵，2.N型硅層，3.P型硅層，4.正極層，41.背電極，42.背電場(chǎng)，5.減反射膜層，6.鈍化膜層。

具體實(shí)施方式

（實(shí)施例1）

見圖1，本發(fā)明具有依次層疊的負(fù)極層1、N型硅層2、P型硅層3、正極層4、減反射膜層5和鈍化膜層6；負(fù)極層1和正電極4均為銀層，負(fù)極層1的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12；正極層4上具有背電極41和背電場(chǎng)42。減反射膜層5為氮化硅層，減反射膜層5設(shè)置在負(fù)極層1和N型硅層2之間；鈍化膜層6為二氧化硅層，鈍化膜層6設(shè)置在減反射膜層5和N型硅層2之間。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。?