[發明專利]一種采用化學水浴法制備硫化鎘薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210297440.9
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN102766900A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 張寧;張濤;張至樹;余新平;劉沅東
• 申請（專利權）人: 北京四方繼保自動化股份有限公司
• 主分類號: C30B7/14
• 分類號: C30B7/14;C30B29/50
• 代理公司: 北京金闕華進專利事務所(普通合伙) 11224
• 代理人: 吳鴻維

1.一種采用化學水浴法制備硫化鎘薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：

（1）清洗襯底：將襯底清洗干凈，然后吹干或烘干；

（2）安裝襯底：將襯底置于專用夾具中并夾緊，襯底與夾具之間用密封圈和橡膠圈墊襯，保持襯底四周均勻受力并且密封良好，夾具上方分別設有注水口和出水口，襯底和夾具共同構成反應容器；

（3）配置溶液：將鎘鹽、氨水、銨鹽、硫脲、去離子水按一定比例混合制成反應溶液，然后兌入反應容器中；其中，所述鎘鹽為硫酸鎘、乙酸鎘、氯化鎘、碘化鎘中的一種，所述反應溶液中鎘鹽產生的Cd²⁺濃度為1～10mM；氨水濃度為0.1～1M；所述銨鹽為氯化銨、硫酸銨、乙酸銨中的一種,所述反應溶液中銨鹽產生的NH₄⁺濃度為0～100mM；所述硫脲的濃度為5～150mM；其余為去離子水；

（4）反應沉積：將盛有反應溶液的反應容器置于恒溫水浴容器中，加熱反應溶液至50～90℃之間，直至硫化鎘薄膜達到所需膜厚，反應結束，總的反應時間約為5～60min；

（5）、后續處理：將沉積硫化鎘薄膜的襯底取下，置于去離子水中超聲波清洗或沖洗，然后吹干或烘干。

2.根據權利要求1所述的一種硫化鎘薄膜的沉積方法，其特征在于：在步驟（4）中，也可以將水浴介質、反應容器和反應溶液事先分別加熱至反應溫度50～90℃之間，然后再將反應溶液注入反應容器中，在恒溫水浴環境中進行反應沉積。

3.根據權利要求1所述的采用化學水浴法制備硫化鎘薄膜的方法，其特征在于：

在步驟（4）中，在加熱反應溶液的同時可施加20～50KHz超聲波輔助沉積，直至硫化鎘薄膜達到所需膜厚，反應結束。

4.根據權利要求1所述的采用化學水浴法制備硫化鎘薄膜的方法，其特征在于：

在步驟（4）中，加熱反應溶液的同時也可外加水泵連接夾具的注水口和出水口使得反應溶液在反應容器中不停循環流動，直至硫化鎘薄膜達到所需膜厚，反應結束。

5.根據權利要求4所述的采用化學水浴法制備硫化鎘薄膜的方法，其特征在于：

還可在溶液循環系統中添加微粒過濾裝置，以過濾3～5μm以上顆粒。