[發明專利]等離子體控制裝置、流量控制裝置及流量控制用方法

在審

• 申請號: 201210297388.7
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN103014637A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 紺野象二郎;南新吾;水口秀
• 申請（專利權）人: 株式會社堀場STEC
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

1.一種等離子體控制裝置，其特征在于包括：

第一閥，設置在第一流路上，所述第一流路與生成等離子體的真空室連接，導入所述真空室內的導入氣體流過所述第一流路；

第一閥控制部，控制所述第一閥的開度，使得經由所述第一閥導入所述真空室內的所述導入氣體的流量成為第一流量；

等離子體監測器，測量在所述真空室內生成的等離子體的等離子體強度；

第二閥，設置在第二流路上，所述第二流路與比所述第一閥位于下游的所述第一流路連接或者與所述真空室連接，所述導入氣體流過所述第二流路；以及

第二閥控制部，根據由所述等離子體監測器測量到的測量等離子體強度與預先設定的設定等離子體強度的偏差，對所述第二閥的開度進行控制。

2.根據權利要求1所述的等離子體控制裝置，其特征在于：設定所述第一流量，使得在僅以所述第一流量將所述導入氣體導入所述真空室時，由所述等離子體監測器測量到的測量等離子體強度成為比所述設定等離子體強度小的值。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述第一閥控制部對所述第一閥的開度進行控制，使得第二流量成為比所述第一流量小的值，所述第二流量是經由所述第二流路導入所述真空室的所述導入氣體的流量，

所述第二閥和所述第二閥控制部具有比所述第一閥和所述第一閥控制部高的響應性。

4.根據權利要求1或2所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述第二閥是壓電閥。

5.根據權利要求3所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述第二閥是壓電閥。

6.根據權利要求1或2所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述等離子體監測器根據從所述真空室內的等離子體放射的光的強度，測量所述等離子體強度。

7.根據權利要求3所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述等離子體監測器根據從所述真空室內的等離子體放射的光的強度，測量所述等離子體強度。

8.根據權利要求4所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述等離子體監測器根據從所述真空室內的等離子體放射的光的強度，測量所述等離子體強度。

9.根據權利要求5所述的等離子體控制裝置，其特征在于：所述等離子體監測器根據從所述真空室內的等離子體放射的光的強度，測量所述等離子體強度。

10.一種流量控制裝置，其特征在于：該流量控制裝置用于等離子體控制裝置，所述等離子體控制裝置包括：第一閥，設置在第一流路上，所述第一流路與生成等離子體的真空室連接，導入所述真空室內的導入氣體流過所述第一流路；第一閥控制部，控制所述第一閥的開度，使得經由所述第一閥導入所述真空室內的所述導入氣體的流量成為第一流量；以及等離子體監測器，測量在所述真空室內生成的等離子體的等離子體強度，

所述流量控制裝置包括：

第二閥，設置在第二流路上，所述第二流路與比所述第一閥位于下游的所述第一流路連接或者與所述真空室連接，所述導入氣體流過所述第二流路；以及

第二閥控制部，根據由所述等離子體監測器測量到的測量等離子體強度與預先設定的設定離子體強度的偏差，對所述第二閥的開度進行控制。

11.一種流量控制用方法，其特征在于：該流量控制用方法用于等離子體控制裝置，所述等離子體控制裝置包括：第一閥，設置在第一流路上，所述第一流路與生成等離子體的真空室連接，導入所述真空室內的導入氣體流過所述第一流路；等離子體監測器，測量在所述真空室內生成的等離子體的等離子體強度；以及第二閥，設置在第二流路上，所述第二流路與位于所述第一閥的下游的所述第一流路連接或者與所述真空室連接，所述導入氣體流過所述第二流路，

所述流量控制用方法使第一閥控制部控制所述第一閥的開度，使得經由所述第一閥導入所述真空室內的所述導入氣體的流量成為第一流量，并且所述流量控制用方法使第二閥控制部根據由所述等離子體監測器測量到的測量等離子體強度與預先設定的設定等離子體強度的偏差，對所述第二閥的開度進行控制。