[發明專利]一種直接發光型微顯示陣列器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201210297385.3
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN102820315A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 郭偉玲;丁艷;朱彥旭;劉建朋
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 魏聿珠

1.一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于包括外延片（1）、半導體矩陣單元(17)、半導體矩陣隔離區(2)、n型導電層(3)、發光層(4)、p型導電層(5)、n電極(6)、p電極(7)、隔離保護層(8)、陽極線（9）、陰極線（10）；外延片（1）包括襯底（18），以及在襯底（18）上依次生長的n型導電層（3）、發光層（4）、空穴型導電型（5），在外延片（1）上采用干法刻蝕方法，刻蝕深至n型導電層(3)，形成多個半導體矩陣單元（17），所述的半導體矩陣單元（17）由未刻蝕到n型導電層(3)的部分組成，在刻蝕露出的n型導電層（3）上注入離子，離子滲透直至襯底（18），形成高阻區，得到半導體矩陣隔離區(2)，半導體矩陣單元（17）的n型導電層（3）上設置n電極(6)，各個n電極（6）相連構成陰極線（10），在p型導電層（5）上進行光刻或刻蝕，獲得空穴型導電通孔（11），在p型導電層通孔（11）外設置隔離保護層（8），半導體矩陣單元（17）的p型導電層(5)上設置p電極(7)，各個p電極(7)相連構成陽極線（9）。

2.根據權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于：矩陣單元（17）結構包括n型導電層（3）、發光層（4）、p型導電層（5）。

3.根據權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于：所述半導體矩陣隔離區（2）縱向介于n型導電層（3）與襯底（18）之間，橫向介于n電極（6）和半導體矩陣單元（17）之間。

4.根據權利要求1-4任一權利要求所述的一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于：所述n電極（6）位于半導體矩陣單元（17）和矩陣隔離區（2）之間，p電極（7）位于半導體矩陣單元（17）內。

5.根據權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于：所述陽極線（9）和陰極線（10）的在空間上交叉的區域為顯示像素。

6.根據基于權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列，其特征在于：所述半導體矩陣隔離區(2)的電阻最低達到10¹¹Ω。

7.一種基于權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列的制備方法，其特征在于所述隔離保護層(8)的材料是SiO2或SiNx或聚酰亞胺等絕緣導電層。

8.一種基于權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列的制備方法，其特征在于在所述陽極線（9）和陰極線（10）兩端交錯設置焊點。

9.根據權利要求1所述的一種直接發光型微顯示陣列的制備方法，其特征在于：其包括包括如下步驟：清洗外延片（1）；干法刻蝕部分外延片（1），至n型導電層（3），形成多個半導體矩陣單元（17）；在刻蝕露出的n型導電層（3）注入離子，直至襯底（18），形成高阻，獲得半導體矩陣隔離區（2）；在n型導電層（3）上淀積金屬，形成n電極（6），各個n電極（6）相連構成陰極線（10）；在整個外延片上用PECVD淀積隔離保護層（8）；在p型導電層（5）上用光刻或者干法刻蝕方法，獲得p型導電層通孔（11），空穴型導電通孔（11）的面積不超過p型導電層（5）的面積；在獲得的p型導電層(5)上淀積金屬，形成p電極(7)，各個p電極(7)相連構成陽極線(9)。