[發明專利]合金共蒸發材料及應用該合金共蒸發材料進行蒸發鍍膜的方法

在審

• 申請號: 201210297356.7
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN103628025A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 曹達華
• 申請（專利權）人: 深圳富泰宏精密工業有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種合金共蒸發材料及應用該合金共蒸發材料進行蒸發鍍膜的方法。

背景技術

現有技術，通常采用多源蒸發或者瞬時蒸發的方式進行蒸發鍍膜，以形成含有多種合金成分的膜層。但是上述兩種方法都易于使形成的膜層的成分與源材料的成分發生偏差。如：多源蒸發法，由于合金中元素各自的蒸發速率不同，隨著蒸發時間的變化，導致在膜厚方向上膜層的成分也發生變化，無法得到成分均勻的膜層；瞬時蒸發是將細小的合金或化合物顆粒逐次送到高溫的蒸發源中，使蒸發物質在蒸發源上實現瞬間完全蒸發。但瞬時蒸發法難以控制蒸發速率，也難以保證成分的均勻性。

為了解決上述問題，單晶蒸發法及在高溫襯底上進行共蒸發方法被應用于蒸發鍍膜工藝中。但，這兩種方法也存在很大的缺點，單晶蒸發需要有純度較高的單晶樣品，而生產高純度的單晶樣品本身就很困難。在高溫襯底上進行共蒸發法，需要在真空條件下對襯底加熱，對設備及襯底的要求較高。

發明內容

鑒于此，本發明提供一種可解決上述問題的合金共蒸發材料。

另外，本發明還提供一種應用該合金共蒸發材料進行蒸發鍍膜的方法。

一種合金共蒸發材料，包括一第一蒸發料及包覆該第一蒸發料的第二蒸發料，該第一蒸發料由一種金屬或合金構成，該第二蒸發料由另一種金屬構成，該第一蒸發料的熔點低于第二蒸發料的熔點。

一種應用合金共蒸發材料進行蒸發鍍膜的方法，其包括如下步驟：

提供一合金共蒸發材料，其包括一第一蒸發料及包覆該第一蒸發料的第二蒸發料，該第一蒸發料由一種金屬或合金構成，該第二蒸發料由另一種金屬構成，該第一蒸發料的熔點低于第二蒸發料的熔點;

提供一真空蒸鍍機，所述真空蒸鍍機包括一蒸鍍腔及連接于蒸鍍腔的一真空泵，該蒸鍍腔內設置有一蒸發源及一支承架；

將待鍍膜工件固定在該支承架上、所述合金共蒸發材料置于該蒸發源內，并對蒸鍍腔進行抽真空處理；

采用該蒸發源對合金共蒸發材料進行加熱處理，增加蒸發源的電壓使第二蒸發材料發生熔化；當第一蒸發材料與第二蒸發材料都完全熔化后，提高蒸發源的電壓使熔化的合金共蒸發材料發生共蒸發產生蒸氣，對待鍍膜工件進行鍍膜。

在該蒸發鍍膜過程中，該第一蒸發料先發生熔化，但因第一蒸發料被包覆在未熔化的第二蒸發料內，隨著蒸發源電壓值的升高第一蒸發料仍無法發生蒸發。當第二蒸發料完全熔化后，第二蒸發料與第一蒸發料將混合形成球狀的合金熔融體；隨著蒸發源電壓繼續的升高，合金熔融體將發生共蒸發。如此，可保證蒸發形成的膜層中的成分及比例與合金共蒸發材料的成分及比例接近，且不會使膜層中第一蒸發料與第二蒸發料成分隨著蒸發時間的增加而呈梯度變化，如此保證了膜層中成分的均勻性。該合金共蒸發材料易于制得，且采用該合金共蒸發材料進行鍍膜處理時，對鍍膜裝置的要求較低。

附圖說明

圖1為本發明較佳實施例的合金共蒸發材料的剖視示意圖。

圖2為本發明較佳實施例的真空蒸鍍機的示意圖。

主要元件符號說明